系统辨识内容与要求.DOCVIP

系统辨识实验内容与要求 实验题目：三温区空间晶体生长炉温度系统建模 实验对象：三温区空间晶体生长炉 单晶体是现代电子设备制造技术的一个必不可少的部分，它应用广泛，如二极管、三极管等半导体器件都需要用到单晶体。组分均匀（compositional uniformity）、结晶完整（crystallographic perfection）的高质量晶体材料是保证电子设备性能重要因素。 目前，单晶体制备主要靠晶体生长技术完成。其主要过程是：首先在坩埚等加热器皿中对籽晶进行加热，使其由固相转变为液相或气相，再降低器皿中温度，使液相或气相的籽晶材料冷却结晶，就可得到最终的单晶体。这个过程中，为保证晶体的组分均匀和结晶完整，必须使晶体内部各晶格的受力均匀。因此，为减小重力对晶体生长的影响，研究者提出在空间微重力环境下进行晶体生长的方案。我们研究的空间晶体生长炉就是该方案中的晶体加热设备。 我们研究的空间晶体生长炉采用熔体Bridgman生长方式，其结构如图1所示。炉身由三部分构成：外筒、炉管以及炉管外部的隔热层。炉管由多个加热单元组成，每个加热单元组成一个温区。加热单元由导热性能良好的陶瓷材料制成，两个加热单元之间有隔热单元隔开。加热单元的外测均匀缠绕加热电阻丝，内侧中间部位安装有测温热电偶。炉管外部的隔热层由防辐射绝热材料制成。 微重力环境下，晶体内部各晶格之间的热应力是影响晶体生长质量的关键因素，而热应力是由炉内温场决定的。因此，必须对晶体炉内各温区的温度进行控制，以构造一个具有一定的梯度的、满足晶体生长需要的温场。工作时，将装有籽晶的安瓿管按一定的速度插入晶体炉炉膛内，通过控制流过各温区加热电阻丝的电流控制炉内温场，通过热电偶在线获取各温区的实时温度值，进行闭环控制，。其中，流过电阻丝的电流通过PWM（脉宽调制）方式进行控制。另外，由于晶体炉工作温度的变化范围比较大，传感器热电偶难以在全量程范围内保持很高的线性度，因此，使用的热电偶的电压读数与实际温度值间需要进行查表变换。 本实验内容是运用系统辨识的方法建立晶体炉中某个温区的动力学模型，辨识数据已给出，见SI_Data.xls文件。 图1三温区空间晶体生长炉的结构图 实验步骤： 试验设计 输入信号采用方波信号对系统进行激励，如下图所示： 首先选择系统的工作点，然后控制系统的输入使系统到达工作点并处于稳态，记录此时的输入脉宽为N%，然后按上图所示的脉宽变化方法来激励系统，每次都要等系统过渡过程结束进入稳态后再改变脉宽。 数据预处理（实测原始数据见文件SI_Data.xls，第一列为系统的输出值，单位毫伏（MV），第二列为系统的输入值，单位百分比（%），采样周期为1秒） 通常，通过辨识实验收集的数据是不能直接用于辨识算法中的，这些数据中可能存在以下几种缺陷： 噪声 野点 需要进行的数据预处理方法： 野点剔除 数据归一化 低通滤波 模型阶次/结构选择：参数模型以及非参数模型，阶次以及纯时延的选择 参数估计：最好不要用matlab提供的函数,自己根据教材中相应算法的描述来写辨识代码，但可以用Matlab提供的函数来粗略估计系统的参数 模型校验 在校验过程中，最好使用在模型估计中没有用到的数据序列 实验内容： 要求使用的辨识算法： 批量最小二乘估计算法 递推最小二乘估计算法 渐消记忆递推最小二乘估计算法 增广最小二乘法 渐消记忆递推增广最小二乘估计算法 广义最小二乘法（选做） 相关辨识法(选做) 报告要求： 选择的系统模型类 辨识的原理，方法和公式 辨识的源程序 辨识结果 辨识结果和实际系统输出的偏差曲线 详细分析和比较所获得的参数辨识结果，说明所用参数辨识方法的优缺点