ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３３ 　 ９ 　　 Vol．３３　No．９ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１８ ９ 　 　 　 Se．２０１８ p 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１８０９Ｇ０７５８Ｇ０６ ZnO纳米线的快速生长机理及其场发射性能研究 １ ２∗ ３ , , 郑中华 林建平 杨 智 　 ( , ; 福建师范大学 协和学院 福建 福州 １． ３５０１０８ , ; 厦门理工学院 福建省功能材料及应用重点实验室 福建 厦门 ２． ３６１０２４ , ) ３．西安交通大学 电子陶瓷与器件教育部重点实验室 陕西 西安７１００４９ : , . 摘要 为了快速制备具有优良场发射性能的ZnO纳米线 对 ZnO纳米线的生长机理及场发射性能进行研究 首先采用 , , , 优化的两步法制备出高长径比的 纳米线 其次采用 对 的微观形貌进行表征 然后 在分析形貌特点的基 ZnO SEM ZnO , . , . , 础上 说明了强碱体系下 ZnO纳米线薄膜的快速生长机理 最后 对典型样品的场发射性能进行了测试 测试果表明 , , , . 优化后的两步法 只需 即可获得直径为 长度为 长径比高达 的纳米线 薄膜的开启电场 ３h ４０~５０nm ２．２~２．７ m ５４ μ / , / , . , 为 阈值场强为 场增强因子 高达 研究表明 高 值溶液可以加快 纳米线沿 轴方 ３．