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CslNa(CsIT1)荧光透过率和对X射线的转换因子-计算物理.PDF

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计 算 物 理 第19卷第3期 v0l hN03 型!!! !竺!!竺!皇!!!竺!!!竺竺!!!!!!竺些!里型竺!坠塑! [文章编号】 100l一246x(2002)03—0195—08 徐向晏, 牛憨笨 中国科学院西安光学精密机械研究所.光电子部,陕西西安710068 [摘要]在建讧模型的基础上.较为夸面地分析了csI:Na(csl:7n)x射线转换屏的荧光透过率及对x射线的转 换刚r.明确了转换因子与x光子能量、转换屏厚度、讨底反射率、荧光吸收系数之间的函数关系计算表明.荧光 透过率(及转换埘子)与村底反射率和l,(吐)值有较强的关系,为有较高的荧光透过毕,实际制作的c“:Na转换屏 的l/(以)值虚枉lO以卜,最好能达到30—40在相同情况F,反射方式的转换闵子高于透射方式用增加厚度来提 高转换闲f时血考虑荧光透过牢降低的负面影响可选择适当的csI:Na(csI:T1)厚度使转换因于最住 [关t词]csI:Na【csI:11);x射线成像;转换凼于;荧光透过率 [中田分类号]02422 [文献标识码]A 衰减系数“,(£)为上述3种作用系数之和“1 ¨ 引声 卢,(E)=∥。(F)+产。(F)+∥Ⅲ(F), csI:Na(或csI:11)是应用较广泛的x射线转换其中p,(剐、p,。(E)、F。。(E)分别为线性光电吸收 屏,可将x射线转换为可见光光子(荧光).相对于 系数、相干散射和非相干散射系数.物质主要通过光 电效应吸收能量.对成像过程,散射x光子重吸收 其它粉末状转换屏,如Gd:02S:n、BaFB%。;b“Eu 会降低图象分辨率,因此探测x射线成像材料的散 等,csI:Na(csI:11)的优点是町以生长微晶柱,抑制 荧光在屏中的横向扩展,有利于提高转换屏的调制 传递函数MTF.因而有较高的极限分辨率.考虑到与 小越好,用高原子序数探测材料的目的就在于此.表 光电发射阴极的匹配,在x射线影像增强器中多用 1给出了csI的一些典型能量下的质量作用系数(吸 5,表中 收截面)数据”1,其中csI密度p=4.5lg·cm csI:Na;csI:r11的荧光光谱与硅(或口一si:H)的光谱响 应匹配较好,如果信号读出采用薄膜晶体管(TFr)数据乘以密度为线性作用系数 或光电二极管阵列,CsI:11l可用来研制平板x射线 衰1 csI的部分吸收截面数据(单位:c时·2 TBbIe1 CsI 成像器件1“. x.伸ycro醛sectin眦0ff0‘ ∞meⅧergy(Ⅻjt:cⅡ,·g。) 尽管csI:Ha(或csJ:11)研制应用较早.但荧光 透过csI:Na层的效率却鲜有研究,KIlbo等人用单指 数模型作r简单讨论”.本文通过建立模型,较详细 地讨论了该问题,并将csl:Na对x射线的转换因子 表示为每个人射x光子激发的可透过转换屏的荧 光光于数.本文的讨论对csI:Na、csI:耵两种转换屏 1.1 csI:Na的荧光透过率 都适用,为叙述方便,只提及csI:Na. 为建立模型方便,首先讨论无任何内部界面的

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