电子科大模电 第1章-半导体基础知识.ppt

利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。 讨论三 以V2作为输入、以节点1作为输出，采用直流扫描的方法可得！ 约小于0.5V时截止 约大于1V时饱和 描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线，称为电压传输特性。 §1.4 场效应管（以N沟道为例） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 2. 绝缘栅型场效应管 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 增强型管 大到一定值才开启 增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 MOS管的特性 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 利用Multisim测试场效应管的输出特性 从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点？ 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 作业 1.3 1.6 1.9 1.11 1.12 1.13 1.16 * * * * * * * * * * 图1.27 双向限幅电路 双向限幅电路 钳位电路 由于含有直流成分的交流电压在通过含隔直电容的线性电路处理后，会失去直流成分，使用钳位电路就能实现直流恢复，故钳位电路有时也叫做直流恢复电路。 假设输入信号是幅度为2.5V的方波，电容C上电压被充电至峰值2.5V后便无法放电，使得输出电压 vo =vi+2.5V ，其波形如图示 2.5V ＋ － vo t 5V T 2T 0 利用二极管的单项导电性，相当于一个受外加电压极性控制的开关。 半导体二极管的开关特性： 二极管电路分析方法 ： A)先将二极管从电路中断开，分别求出其两端的正向电压。根据二极管的单向导电性，二极管承受正向电压则 导通，反之则截止。 B)若电路中存在两只以上二极管，则正向电压大的管子优先导通。 3. 二极管开关电路 举例： 试分析图示电路中，当UA和UB分别为0V和3V的不同组合时，二极管D1和D2的状态，并求出此时UO的值。二极管为硅管。 例1.4 试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AB两端电压VAB 。设二极管为理想二极管。 解：断开D1、D2时 D1管优先导通 VA1=12V，VA2=12 - 6 = 6V ∵VA1 VA2 ; 此时，VA2= - 6V，D2管截止。 ∴ 此电路D1导通， D2管截止VAB = 0V。 VAB = 0V 。 D1 D2 3KW 6V 12V A B 1 2 补充 稳压管及其应用