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- 2019-02-01 发布于安徽
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化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具体添加剂
摘要:本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理,然后,通过介绍CMP系统,从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程,通过介绍分析CMP工艺参数,对CMP作定量了解。在文献精度中,介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型,其中考虑了磨粒尺寸,浓度,分布,研磨液流速,抛光势地形,材料性能。经过实验,得到的实验结果与模型比较吻合。MRR模型可用于CMP模拟,CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后,通过对VLSI制造技术的课程回顾,归纳了课程收获,总结了课程感悟。
关键词: CMP、研磨液、平均磨除速率、设备
Abstract:This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, and by introduci
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