用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料.PDF

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料  王 敬 梁仁荣 徐 阳 刘志弘 许 军 钱佩信 　 　 　 　 　 　 　 　 （清华大学微电子学研究所，北京 １０００８４） 　 摘要：利用减压化学气相沉积技术，制备出应变 ／弛豫 ／渐变组分弛豫 ／ 衬底 通过控制组分渐 犛犻 犛犻 犌犲 犛犻犌犲犛犻 ． ０．９ ０．１ 变 过渡层的组分梯度和适当优化弛豫 层的外延生长工艺，有效地降低了表面粗糙度和位错密度 与 犛犻犌犲 犛犻犌犲 ． 犌犲 组分突变相比，采用线性渐变组分后，应变硅材料表面粗糙度从 ３０７狀犿减小到 ０７５狀犿，位错密度约为 ５× ４ －２，表面应变硅层应变度约为 １０犮犿 ０４５％． 关键词：应变硅；锗硅虚衬底；减压化学气相沉积 ： ； 犘犃犆犆 ７２８０犈 ８１１５犎 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０４１ 犃 ０２５３００１７９０４ 　　　 　　　 ，设定 组分从 逐渐增加到约 ２犿 犌犲 ０ １０％ １５％． μ ～ １ 引言 为降低位错密度和表面粗糙度，在实验中优化了工 　 艺参数，将 组分尽量调整为线性变化 固定组分 犌犲 ． 利用应变弛豫 合金层作为“虚拟衬 层的 组分设定为 ，目标厚度为 犛犻 犌犲 犛犻犌犲 犌犲 １０％ １５％ ～ １－狓 狓 底”（ ），外 延 生 长 应 变