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27 7 武 汉 理 工 大 学 学 报 Vol. 27 No. 7
2005 7 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Jul. 2005
CuInSe
2
周学东, 赵修建, 夏冬林, 李建庄
( , 430070)
: 采用Mo/ 钠钙玻璃衬底为研究电极, 饱和甘汞电极( SCE) 为参比电极, 大面积的铂网电极为辅助电极的三电
极体系, 以 化铜三 化铟亚硒酸的水溶液为电解液, 在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用
CuInSe 薄膜通过EDSXRD 和 SEM 对制备的CuInSe 薄膜进行了表征, 实验结果表明利用电沉积方法可以制备出晶
2 2
粒分布均匀的黄铜矿结构的CuInSe 薄膜, 禁带宽度为1. 14 eV 左右, 具有高的吸收系数
2
: CuInSe ; 薄膜; 电沉积; 太阳能电池
2
: TM 15 : A : 1 71-4431(2005) 07-0004-03
Preparation and Chara terization of CuInSe Thin Films by Ele trodeposition
2
ZH OU X ue-dong , ZHA O X iu-j ian, XIA Dong-lin, L I Jian-z huang
( Key Laboratory for Silicate Materials Science and Engineering of Ministry of Education,
Wuhan Universit y of Technology, Wuhan 430070, China)
CuInSe thin films for solar cells w ere grown adopting the potentiostat ic electrochemical method, w here the refer-
Abstra t: 2
ence electrode w as a saturat ed calomel electrode ( SCE) , the counter electrode w as Pt mesh and t he w orking electrode w as a
Mo/ soda lime glass substrat e. CIS thin films w ere annealed for a short time to improve the crystalline properties in a Se vapor
atmosphereat 450 e . The selenized films were characterized by energy dispersive spectroscopy ( EDS) , X-ray diffraction
(XRD) and scanning electron microscopy ( SEM) . The results indicated that CuInSe thin films
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