退火处理对PMN弛豫铁电体B位有序性研究3李新元.pdf

第 14 卷 　第 4 期 无 机 材 料 学 报 Vol . 14 , No . 4 1999 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 1999 退火处理对 PMN 弛豫铁电体 B 位有序性研究 李新元 　　冯楚德 　　李承恩 　　庄志诚 ( 中国科学院上海硅酸盐研究所 　上海 　200050) ( 上海交通大学 　上海 　200030) 摘 　　　要 本文采用退火热处理方法 , 利用高分辨透射电镜 ( HREM) 、选区电子衍射 ( SAED) 、Raman 光 谱等技术对 PMN 中 B 位离子有序无序结构与微区化学组成的关系进行分析 研究表明 , 退火热处 理有助于B 位离子有序化 ; 并且 B 位离子的有序排列是产生局部化学组成不均匀性的原因 关 键 词 　弛豫铁电体 , 有序无序结构 , 化学键 分 类 号 　TN 304 1 　引言 ( ) ( ) ( ) Pb Mg13 Nb23 O3 简称 PMN 为代表的复合钙钛矿 A B ′B ′′ O3 结构弛豫铁 电体 , 以其优良的介电物理性能 , 成为制造多层陶瓷独石电容器和电致伸缩器件的高性能低成本铁 电材料[ 1～3 ] ( ) 在复合钙钛矿A B ′B ” O3 结构弛豫铁电材料有序结构的研究方面 , 人们进行了大量的 实验工作 Setter[4 ] 通过研究 Pb ( Sc12 Ta12 ) O3 (简称 PST) , 经退火热处理后发现了 Ta5 + Sc3 + = 1 的有序结构 对于 PMN , 自从采用化学掺杂方法[5～7 ] 用高分辨透射电镜 ( HRTEM) 观察 2 + 5 + 到Mg Nb = 1 有序微畴后 , 改变 了人们 对 其 无序 结构 的传 统认 识 一般 认 为 , 在 2 + 5 + 2 + 5 + PMN 中 , 有序 结构 Mg Nb = 1 相对基 体 Mg Nb = 12 而 言是 非化 学计 量 比 , 5 + 2 + 造成 Nb , Mg 离子 的局部富集 , 但是 同时产生空 间电荷 的抑制作用 , 限制 了有序 微 区的长大 ( 在纯 PMN 中 , 有序微 区为 3 ～5 nm[8 ] ) , 给实验观察 以及局部化学组成 的分析带来 了困难 Raman 散射作为一个研 究转动跃迁 和振 动 跃迁 的方 法 , 具有 重 要 的实用 意义 , 特别是 由于 Raman 散射光谱较衍射谱具有特征峰位置摆 幅较小 的优 点 , 因此可作为 探测纳米微畴结构 , 尤其是化学键组成 的很好手段[9 ,10 ] 本文用 Raman 光谱方法 , 研 究 PMN 弛豫铁 电陶瓷材料微观结构上 B 位离子 的有序无序排列 , 探讨 B 位有序 畴 区结构和微 区化学组成 的关系 19980