铝硅欧姆接触电阻率与预扩散温度的关系.PDF

ELECTRONICS WORLD 探 索与观察 ・ 铝硅欧姆接触电阻率与预扩散温度的关系 国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心 陈树华 【摘要】本文给出了欧姆接触的评价方法且实验得到了低欧姆接触电阻率的样品，随着预扩散温度的从1100℃变化到 -6 2 -6 2 -6 2 1150℃，欧姆接触电阻率从7.8×10 Ω·cm ，5.5×10 Ω·cm ，1.3×10 Ω·cm 依次降低。 【关键词】铝；硅；欧姆接触；电阻率 1 引言 (2) 半导体材料、器件及其应用在近几十年取得了快速 (3) 发展，同时大量实验和数据表明明良好的欧姆接触可以 改善器件的性能和提高器件的寿命。理想的金属-半导体 接触，可以通过选择合适的金属来形成载流子积累层， 进而形成无整流作用的欧姆接触。目前，在实际的应用 中，主要是利用隧道效应的原理形成欧姆接触。当半导 体重掺杂时，势垒区可以变得很薄，电子通过隧道效应 可以产生相当大的的电流，甚至超过热电子发射电流而 成为主要的电流产生机制，此时，接触电阻可以很小， 可以用来形成欧姆接触。欧姆接触的好坏直接关系到器 件的电流电压特性及器件是否能正常工作，因此有必要 图1 测量欧姆接触的原理图 对其进行测量与分析。 通过式(2)和(3)计算得到： 2 欧姆接触电阻率的测量原理 (4) 欧姆接触电阻率的定义为： (5) 其中，Rs为扩散层的薄层电阻。 或 (1) 其中，ρ 是接触电阻率，Rc是总接触电阻，S是接触 c 面积，V是外加偏压，J是穿过接触区的电流密度。 薄膜材料的接触电阻率通常是利用传输线模型或圆 形传输线模型来进行测量[1,2,3] 。本实验将采用传输线模 型来进行测试，欧姆接触电阻的测量是在半导体薄膜材 料上制备线型排列的欧姆接触图形来进行测试。如图1所 示，样品上制备三个长为W ，宽为b 的金属电极，它们之 间的距离为L 和L ，相应电阻为R ，R 。于是有： 图2 线性传输线等效电路 12 23 12 23 •  • ELECTRONICS WORLD 探 索与观察 ・ 通过对图1建立等效电路模型，得到线性传输线等效