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超快速反向恢复功率硅二极管
产 品 简 介
超快速反向恢复功率硅二极管
快速二极管——CoolMOS™和TRENCHSTOP™ 5的绝佳搭配
特性
随着全新650V Rapid 1和Rapid 2二极管系列的推出，英飞凌开始进军高压超快速硅二
极管市场。全新快速二极管系列弥补了英飞凌SiC二极管和发射器控制二极管之间的空 导通损耗 (V ) 温度特性稳定
F
缺，完善了已有的高功率600V/650V二极管。它们体现了极佳的性价比，针对18 kHz至 Rapid 1的导通损耗(VF )比最好的
100 kHz的高效应用开关，并且经过优化，可与PFC拓扑中的CoolMOS™和TRENCHSTOP™ 5 竞争产品低250mV
完美搭配。 Rapid 2提供最低的Q rr :VF 比
I 比最好的竞争对手低 10%
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超软特性
快速二极管将推出击穿电压为650V的两种，迄今为止可提供的二极管为600V。在不影
响效率的前提下，额外的50V提高了可靠性。V 有稳定的温度特性，即指在-40°C至175°C
F 优点
之间二极管的正向电压保持恒定，让客户在任何结温情况下都能够实现最佳效率。
Rapid 2的超快速Si二极管在70 kHz
Rapid 1系列经过低V 和软恢复优化，是18 kHz至40 kHz开关频率的绝佳选择，而导通 时具备同级产品的最佳效率
F
损耗和EMI是此类应用的关键设计参数。同时还设计了用于40 kHz至100 kHz开关频率的 最低的I
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