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技术 | Technology – MOCVD 通过监测晶圆载体来提高 芯片制造的性能 监测一个晶圆载体的发射率及其温度分布可以揭示其中微裂纹的存在， 而它的发射率变化会直接影响到薄膜沉积及器件性能。 Carrie Andre, Darryl Barlett; K-SPACE ASSOCIATES 大多数化合物半导体芯片的关键制造工艺是 圆载体将是十分洁净的，因此在将晶圆衬底加热到 外延晶圆的生长，在这一领域富有经验的 所需生长的温度时，其红外发射率将会返回到其原 工程师受到了业界的高度重视，因为他们能够确 始数值。经过这种烘烤处理以后，就可以采用与上 保获得高的产品良率、更为快速的新器件开发， 一批次相同的工艺菜单来运行下一个生产批次，将 以及能对MOCVD 反应器的内部故障进行诊断。 能沉积形成具有相同厚度和组分的薄层。 但是他们的技能并不只限于了解在各种合金材料 虽然这听起来很容易做到，但在实践中却并 沉积时的最佳生长温度及其速率，还能扩展到如 非如此。多次的生长运行和随后的烘烤会改变晶圆 何通过操作硬件以在不同运行批次之间和不同加 载体发射率的均匀性。会使事情进一步变得更为复 工设备之间来获得最佳的工艺重复性。 杂的是，MOCVD 芯片制造商并没有监测这种载体 如果这些工程师是负责用MOCVD 反应器来 发射率变化的定量方法。在许多采用MOCVD 工 生产外延晶圆，他们将不得不寻找一种办法，以 艺的晶圆制造厂中，它们的工艺工程师只能被迫接 尽量减少与晶圆载体相关的工艺变化。晶圆载体 受载体发射率变化这一事实，应对这一变化的方法 也称为平板或基座，这种设备组件在沉积过程中 只是根据每种特定载体的生长历史来对其温度设定 对衬底晶圆起到承载作用，在完成每一个生长批 点进行一个小小的调整。虽然这样做是有益的，它 次以后，它们通常需要在一个炉子中烘烤好几个 只能解决平均发射率的变化问题，而无法解决可能 小时，有时需要连续烘烤好几天。 出现的任何工艺非均匀性问题。 进行这种烘烤的目的是旨在去除载体上的沉积 对所有MOCVD 工艺工程师而言，另一个艰 材料，以避免产生任何污染。在理想的情况下，晶 难问题是如何来确定何时这个晶圆载体已是一个 不能再正常使用的设备部件。目前要做到这一点 的方法要么是以肉眼目测方式来检查晶圆载体的 外貌，如果它存在明显的缺陷或瑕疵，那么就将 它报废，或者是在其累计沉积生长超过某一限度 值后，就将该晶圆载体报废。 不幸的是，这两种方法都存在严重的缺陷， 其缺点包括会浪费生长的批次和减少产量。如果 由于晶圆载体失效而造成灾难性后果，将会明显 增加MOCVD 反应器停机时间。而且这两种方法