增强型MOSFETsQ点.ppt

* * Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. § 7-4 分壓器偏壓 * ? 基本組態 與 BJT完全相 同，但直流分析則完全 不同。 ? VDD被分為輸入及輸出 等 效電源?1. [註] Vi、Vo：交流信號。 C1、C2：耦合電容器。 CS：旁路電容器。 DC分析→開路1. AC分析→短路 組態： IG ?0A → G ? S D Boylestad and NashelskyElectronic Devices and Circuit Theory Copyright ?2006 by Pearson Education, Inc.Upper Saddle River, New Jersey 07458All rights reserved. * § 7-4 分壓器偏壓 2.由網路知 IG ?0A? IS=ID 且 IR1=IR2