1-半导体基础知识.ppt

武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术 漂移到N2区的电子 若V2 较小不能保证 J2反偏，则漂移到N2区电子很少。 J2反偏后，N2区收集的漂移电子与N1区发射的电子形成一定的比例，可用?参数来表示： I2 = ? I3 根据节点电流方程： 用β参数代替? /(1－?)则有： 由于β参数大于1，还体现了电流放大作用。 即注入一小电流可引出一较大电流β 称为电流放大系数。 3. 受控电流表达式 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术 控制回路伏安特性曲线和PN结的正向特性曲线类似，由于中间的杂质半导体参杂浓度低了(1+β)倍，故I1比I3电流小了(1+β)倍。 受控回路伏安特性曲线与增强型电压控制类似，不同的是这里是电流控制电流。 控制电流I1=0对应的是截止区。受控电流I2=βI1=0 4. 伏安特性 2）受控回路伏安特性 1）控制回路伏安特性 工作电源V2较大时对应的是恒流区（放大区）。受控电流I2=βI1 工作电源V2较小时对应的是可变电阻区（饱和区）。受控电流I2βI1 1. 本征半导体基本不导电，杂质半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间与掺杂浓度有关。杂质半导体分N型和P型两种，空穴导电是半导体不同于金属导电的重要特点。 本章小结 3.半导体的导电能力有三种控制方式：一是直接利用PN结消耗多数载流子；二是透过绝缘层利用异性电荷相吸原理，产生大小可变的反型感应导电沟道；三是利用不对称性影响PN结的反向特性的导电能力。 2. P型半导体与N型半导体结合会形成一个PN结也称空间电荷区或耗尽层。当PN结正向偏置时，耗尽层变窄，有大的扩散电流流过；而当反向偏置时，耗尽层变宽，只有很小的漂移电流流过，这就是PN结的单向导电性或PN结的可控性。 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术 前两种为电压控制： 后者为电流控制：I = ? I1或 本征半导体、杂质半导体 本章中的有关概念 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子 施主杂质、受主杂质 武汉大学 电气工程学院YTZ PN结、势垒区、单向导电 齐纳击穿、雪崩击穿 模拟电子技术 扩散运动、漂移运动 增强型、耗尽型 开启电压、夹断电压 伏安特性、转移特性 注入型、电流放大系数 可变电阻区、恒流区、截止区 ? 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，uCE、iB等。 ? 大写字母、大写下标表示直流量。如，UCE、IC等。 ? 小写字母、小写下标表示纯交流量。如，uce、ib等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如， 、 等。 书中有关符号的约定 武汉大学 电气工程学院YTZ 模拟电子技术 * 本讲主要介绍有关半导体的基本知识，为讲清半导体器件的工作原理作准备。 讲课思路：需讲清楚为什么由导电性能居中的半导体→导电性能极差的本征半导体→导电性能可控的杂质半导体→具有单向导电性的PN结。 并说明温度对载流子数目及浓度的影响，为阐明半导体器件的温度稳定性差打下伏笔；说明PN结的电容效应，为阐明半导体器件的最高工作频率和模拟电子电路的频率响应打下伏笔。 使学生掌握的基本术语：本征半导体、自由电子和空穴、复合、N型半导体和P型半导体、扩散运动和漂移运动、动态平衡、PN结的单向导电性、结电容 * 虽然载流子数目相同，但自由电子移动遇到的阻力较小，故总电流中约3/4是自由电子形成的，1/4是空穴形成的。空穴电流是共价键内电子移动形成的，移动时因为阻力较大，故比较小。 * 在N型杂质半导体中，由于自由电子的增多，使得复合率增大，故本征激发的空穴的数目减少。 * 温度变化时，本征激发有变化，故载流子的数目也有变化。少子与多子变化的数目相同，多子浓度的变化不明显，少子浓度的变化较大。 * 在PN结形成过程中，扩散电流由大快速变小、漂移电流由小慢慢变大，当二者相等时进入动态平衡状态。 * 1、耗尽层的导电能力与本征半导体相同，其阻值很大，PN结越宽、或者说内电场越强则阻值越大。 2、掺杂浓度越高形成的PN结场强越强。 3、少数载流子的浓度越低PN结场强越强，温度升高、少数载流子浓度变高，则PN结场强变弱。 4、相同的掺杂浓度和温度下，锗材料的少数载流子浓度较高，故锗材料的PN结场强较硅材料的弱。 * 正偏电压刚开始增大时，扩散电流略有增加、内电场随之增强、漂移电流也增加，但二者差值仍为零。当正偏电压大到一定值（门坎电压）、漂移电流跟不上扩散电流的增加，才有差值电流，以后随着正偏电压的增加，内电场变弱、正向电流按指数关系快速增大。 * 随着反偏电压的增大，内电场被加强，漂移电流增大、扩散电流减小，二者的差值即反向电流由小