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崑山科技大学电机工程系-崑山科技大学ePortfolio
崑山科技大學
電機工程系
實習報告
實習八雙載子接面電體偏壓電路
四電機二A
4980J035朱文傑
4980J100陳欣柏
應繳日期: 2010年
繳交日期: 2010
一、實習八雙載子接面電體偏壓電路
二、實習目的:
1.學習各種雙載子接面電晶體偏壓電路之設計方法。
2.藉由實習過程,以瞭解各種雙載子接面電晶體偏壓電路之穩定性。
三、實習材料:
(一)實習設備:
1.直流電源供應器 2.訊號產生器 3.示波器 4.三用電表x3
5.麵包版 6.烙鐵或吹風機
(二)電子元件:
編號
電子元件名稱
電子元件規格
數量
備註
1
雙載子接面電晶體
CS9012(pnp)
1
2
雙載子接面電晶體
CS9013(npn)
1
3
固定電阻器(R)
1KΩ、1/4W
2
4
固定電阻器(R)
2.2KΩ、1/4W
1
5
固定電阻器(R)
10KΩ、1/4W
1
6
固定電阻器(R)
100KΩ、1/2W
1
7
可變電阻器(VR)
50KΩ、1/2W
1
8
可變電阻器(VR)
1MΩ、1/2W
1
四、實習步驟與結果:
(一) 共射極固定偏壓電路
1. 將「電晶體(CS9013)」插入麵包板上,並依「圖 8-8」之電晶體偏壓電路,分別與3個「電阻」做適當連接後,再加入「12V」之直流電壓(Vcc)於適當位置。
2. 適當調整可變電阻VR之大小(已改變積極電流IB值),使集 – 射極電壓 (VCE) 為6V (VCE =1/2Vcc,即設定工作點位置,盡量接近直流負載線之中央位置)後,並記錄此時基極電阻值(RB+VR),同時測量Ic、IB與VCE 等電流與電壓值(測量值)與計算β值﹝β=Ic/IB﹞,並將測量與計算所得之結果,分別記錄於「表 8-1」測量值之空格。
3.利用步驟2所得之基極電阻值(RB+VR),根據相關知識之討論,以計算此偏壓電路Ic、IB、VCE與β值﹝β=Ic/IB﹞等理論值,並將計算所得之結果,分別記錄於「表 8-1」理論值之空格中。
4.接著關閉直流電源,利用烙鐵(或吹風機)於電晶體附近加熱20秒後,再將直流電源打開,同時測量Ic、IB與VCE等電流與電壓值(測量值)與計算β值﹝Ic/IB﹞,並將測量與計算所得之結果,分別記錄於「表 8-1」加熱後之空格。
5.利用步驟2.所得之基極電阻值(RB+VR),根據相關知識之討論,繪出此偏壓電路之直流負載線,接著利用步驟2.、3.與4.所得之結果,以決定此偏壓電路之實際、理論與周圍溫度變化後之工作點位置(請分別標示為(x、y與z之符號),並將結果繪製於「圖 8-9」。
(二) 具射極電阻之共射極固定偏壓電路
1. 將「電晶體(CS9013)」插入麵包板上,並依「圖8-10」之電晶體偏壓電路,分別與4個「電阻」做適當連接後,再加入「12V」之直流電壓(Vcc)於適當位置。
2. 適當調整可變電阻VR之大小(以改變積極電流IB),使集 – 射極電壓(VCE)為6V(VCE=1/2Vcc,即設定工作點位置,盡量接近直流負載線之中央位置)後,並記錄此時基極電阻(RB+VR)值,同時測量Ic、IB與VCE等電流與電壓值(測量值)與計算β值﹝β=Ic/IB﹞,並將測量與計算所得之結果,分別記錄於「表 8-2」理論值之空格。
3. 利用步驟2.所得之基極電阻值(RB+VR),根據相關知識之討論,以計算此偏壓電路Ic、IB、VCE與β值﹝β=Ic/IB﹞等理論值,並將計算所得之結果,分別記錄於「表8-2」理論值之空格。
4. 接著關閉直流電源,利用烙鐵(或吹風機)於電晶體附近加熱20秒後,再將直流電源打開,同時測量Ic、IB與VCE等電流與電壓值(測量值)與計算β值﹝Ic/IB﹞,並將測量與計算所得之結果,分別記錄於「表 8-2」加熱後之空格。
5. 利用步驟2.所得之基極電阻值(RB+VR),根據相關知識之討論,繪出此偏壓電路之直流負載線,接著利用步驟2.、3.與4.所得之結果,以決定此偏壓電路之實際、理論與周圍溫度變化後之工作點位置(請分別標示為(x、y與z之符號),並將結果繪製於「圖 8-11」。
(三) 電阻分壓器偏壓電路
1. 將「電晶體(CS9013)」插入麵包板上,並依「圖 8-12」之電晶體偏壓電路,分別與5個「電阻」做適當連接後,再加入「12V」之直流電壓(Vcc)於適當位置。
2. 適當調整可變電阻VR之大小(已改變積極電流IB值),使集 – 射極電壓 (VCE) 為6V (VCE =1/2Vcc,即設定工作點位置,盡量接近直流負載線之中央位置)後,並記錄此時基極電阻值(R1//(R2+VR),同時測量Ic、IB與VCE 等電流與電壓值(測量值)與計算β值﹝β=Ic/IB﹞,並將測量與計算所得之結果,分別記錄於「表 8-3」測量值之空格。
3.
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