基于信息论的高容错MRF电路的供电电压分析-中国科学信息科学.PDF

中国科学: 信息科学 2016 年 第46 卷 第3 期: 404–416 SCIENTIA SINICA Informationis 论 文 基于信息论的高容错 电路的供电电压分析 * * 李晓倩 胡剑浩 李妍 电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室, 成都 611731 * 通信作者. E-mail: lixq email@163.com, jhhu@ 收稿日期: 2015–05–10; 接受日期: 2015–07–03; 网络出版日期: 2016–02–23 国家自然科学基金(批准号: 和国家高技术研究发展计划 (863) (批准号: 2012AA011702) 资助项目 摘要 低功耗技术是当前研究热点, 尤其对于手持移动设备, 其重要性更为突出. 降低电压是降低 功耗最直接有效的方式之一, 传统CMOS (complementary metal oxide semiconductor) 电路在低电压条 件下已无法正常工作, 而基于能量观点的MRF (Markov random field) 电路在超低电压下却拥有BER (bit error rate) 超过10 的良好稳定性, 从而引起学术界广泛关注, 但是缺少对MRF 电路的电路稳 定性和其供电电压之间的理论研究. 本文基于信息论的观点对MRF 电路进行了理论分析与证明, 证 明出在输出正确概率相同的条件下, MRF 电路的供电电压下界低于传统CMOS 电路, 并且进一步证 明出其本质原因. 本文的工作可以为后续基于MRF 的低功耗高稳定性电路设计提供理论基础. 关键词 信息论 Markov 电路 低功耗 供电电压 稳定性 引言 随着科学技术的进步, 信息系统朝着更大的传输速率、更高的处理能力、更低的功率消耗等方向 发展 . 因此, 如何大幅度地降低信息系统及电路的功耗已经成为信息技术研究的热点和亟待解决的 问题. 数字互补金属氧化物半导体 (complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 电路在信息系 统占有重要的地位, CMOS 功率消耗包括动态功耗和静态功耗, 动态功耗占主要地位, 其公式如下 = (1) 其中, 是翻转活动性, 是总负载电容, 是切换频率, 是供电电压. 目前, 多数低功耗技术致力于 最小化负载电容、消除多余的翻转 、降低电源电压 . 由于电压和动态功耗成二次方关系, 因此 在以上低功耗的技术中, 低电压供电技术成为研究的热点; 同时, 低电压也会降低电路静态功耗. 因而 降电压在降低电路动态功耗和静态功耗上都是直接有效的技术路线. 低电压的研究开始于文献 [5], 对 CMOS 电路的近阈值操作进行建模, 并由此构建低电压供电分 析模型; 文献 [6] 对环形振荡器的低电压功耗和性能进行了研究; 文献 [7] 在降电压后对 CMOS 电路 特性进行了分析; 文献 [8] 提出了多电压供电的架构, 电压可以随着频率和操作改变. 然而, 随着电压 逐渐降低, 系统会表现出较为明显地不稳定和不可靠. 一方面由于供电电压的降低会造成噪声容限下 引用格式 李晓倩 胡剑浩 李妍 基于信息论的高容错 电路的供电电压分析 中国科学 信息科学 ⃝ 《中国科学》杂志社 中国科学: 信息科学 第46 卷 第 3 期 降, 即电路抵抗噪声的能力下降 ; 另一方面由于芯片特征尺寸不断减小, CMOS 器件出现更多的本 征噪声 (intrinsic noise) 等由器件制造工艺带来的不确定性噪声. 因此, 低电压下的可靠性已成为集成 电路设计的关键性问题. 近几年来, 各种