北京航空航天大学《电子电路i》第一章问题.pptVIP

北京航空航天大学202教研室 画出T2 (篮框部分)的基本小信号等效电路？ 画出T1 (黄框部分)的基本小信号等效电路？并求B1E1两端等效输入电阻？(提示约等于re1) * 第一章 问题 PN结形成过程中载流子扩散运动/漂移运动对结宽的影响？ 解： 扩散?结宽增加 漂移?结宽减小 最终 两者平衡！ PN结，正反偏时，载流子扩散运动/漂移运动的变化，结宽的变化？ 解： 正偏? 浓度增加?结宽减小 （由浓度增加引起） 总结：２在１的平衡的基础上分析；两者的引起原因不同！ PN结形成过程中载流子扩散运动/漂移运动对结宽的影响？ 解： 扩散?结宽增加 漂移?结宽减小 最终 两者平衡！ PN结，正反偏时，载流子扩散运动/漂移运动的变化，结宽的变化？ 解： 正偏? 浓度增加?结宽减小(由浓度增加引起)?漂移抑制 浓度增加?扩散增强 总结：２在１的平衡的基础上分析；两者的引起原因不同！ P型半导体区 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体区 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + ①扩散运动 ③内建电场E ④漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽 内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 ②空间电荷区，也称耗尽层。 － － － － + + + + R E PN 结正向偏置： 内电场 外电场 变薄 P N + _ ①多子浓度增加，结宽变薄，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。②内电场被削弱，电势差变为Vf-V，抑制少子漂移。 问题：正偏时，多子浓度如何变化？ 　　　结宽如何变化？ PN 结反向偏置： － － － － + + + + 内电场 变厚 N P + _ ①多子浓度减少，结宽变厚，多子的扩散受抑制。②内电场增强，电势差变为Vf+V，少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 R E 外电场 问题：反偏时，多子浓度如何变化？ 　　　结宽如何变化？ 写在纸片上，课间由学委收集交上。写上学号。 * *