螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜3-中国科技论文在线.PDFVIP

中国科技论文在线 第 52 卷 第 3 期 2003 年 3 月 物 　理 　学 　报 Vol. 52 ,No. 3 ,March ,2003 ( ) 10003290200352 03 068705 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin. Phys. Soc. 螺旋波等离子体增强化学气相 沉积氮化硅薄膜 于 　威 　刘丽辉 　侯海虹 　丁学成 　韩 　理 　傅广生 (河北大学物理科学与技术学院 ,保定 　071002) (2002 年 7 月 23 日收到 ;2002 年 9 月 18 日收到修改稿) ( ) ( ) 　　利用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 HWPCVD 技术 , 以 SiH 和 N 为反应气体进行了氮化硅 SiN 薄膜沉 4 2 积 ,并研究了实验参量对薄膜特性的影响. 利用傅里叶变换红外光谱 、紫外 —可见光谱和椭偏光检测等技术对薄膜 的结构 、厚度和折射率等参量进行了测量. 结果表明 ,采用 HWPCVD 技术能在低衬底温度条件下以较高的沉积速 率制备低 H 含量的 SiN 薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为 Si —N 键合结构. 采用较低的反应气体压强将提高薄膜沉积 速率 ,并使薄膜的致密性增加. 适当提高N SiH 比例有利于薄膜中 H 含量的降低. 2 4 关键词 : 螺旋波等离子体 , 化学气相沉积 , 氮化硅薄膜 PACC : 7230 , 8155H , 6855 著降低[8 ,9 ] . 在 SiN 薄膜沉积过程中 ,为减小 H 含量 1 引 言 通常采用 250 ℃以上的热退火处理 ,而该过程会引 起薄膜结构缺陷的增加. ( ) 氮化硅 SiN 因其高度的热稳定性和化学惰性 、 ( ) 螺旋波等离子体 HWP 技术为近年来逐渐发展 良好的绝缘性以及较高的硬度在微电子学领域得到 起来的半导体材料加工技术. 因其能在较低的气压 了广泛的应用[1 —6 ] ,它可作为栅极绝缘层 、扩散阻挡 ( ) ( 12 - 1 ) 条件下 01 —10Pa 产生高密度 10 cm 的等离子 层和钝化层等. 除此之外 ,该化合物在材料表面改性 体 , 已被应用于高质量 ZnO , SiN 光学薄膜 的沉 领域也有着广阔的应用前景. 积[10 ,11 ] . 由于高密度 、高能量电子和反应