北京航空航天大学《电子电路i》第一章[1.1-1.2]zqv2012.pptVIP

* 复合（空间电荷区）-内建电场（接触电位差）-漂移-平衡 * 北京航空航天大学202教研室 * 1.2.3 PN结和二极管 在PN结上加欧姆接触电极引出管脚便构成晶体二极管欧姆接触：通过隧道效应，消除金属半导体势垒的接触方式 引线 外壳 触丝线 基片 点接触型 P N 二极管的电路符号： 面接触型 一、二极管的结构 * 北京航空航天大学202教研室 * 1. 二极管的电阻 直流等效电阻 RD： 交流（动态）电阻 rd： 二、二极管的参数 * 北京航空航天大学202教研室 * 二极管的交流小信号模型（微变等效电路） 采用恒压降模型： * 北京航空航天大学202教研室 * 2 二极管的结电容 二极管结电容CJ包括势垒电容CT和扩散电容CD 即：CJ=CT＋CD 势垒电容CT 反偏电压变化引起耗尽区厚度变化，从而引起PN结中的电荷量变化，这种电容效应称为势垒电容。 式中：CT 表示势垒电容数值； Q 表示PN结的电荷量； vD 表示二极管的偏置电压 * 北京航空航天大学202教研室 * 突变结CT与反偏电压的关系式： (n=0.5) 式中：CT(0) 表示vD=0时 的势垒电容。 Vφ 表示接触电位差 图1.2.9 变容管及其动态特性 变容管的动态电容与反偏电压的关系 变容管模型 变容管符号 * 北京航空航天大学202教研室 * 扩散电容CD PN结正偏时，载流子在扩散过程中存在电荷积累，正偏电压大，积累电荷多，反之积累电荷少，这种电容效应称为扩散电容。 式中：τ表示非平衡载流子的平均寿命。 * 北京航空航天大学202教研室 * 3 二极管的温度稳定性 PN结正向电压的温度系数 αvD 保持二极管正向电流不变，温度变化1℃所引起的vD 变化 αvD≈-(1.9～2.5)mV/℃ PN结的反向饱和电流随温度按指数规律变化 不论是硅管还是锗管，反向电流大约随温度每变化10℃而变化一倍。锗管的IS（T0）要比硅管大3～6个数量级 * 北京航空航天大学202教研室 * 4 二极管的其它重要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VR一般是VBR的一半。 3. 反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流值。稍大于反向饱和电流 IS 。 * 北京航空航天大学202教研室 * 4. 最高工作频率fM 由PN结电容决定的参数，二极管的工作频率高到一定的程度，CJ对PN结起的旁路作用不容忽略，工作频率超过fM，二极管的单向导电性能变坏。 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd * 北京航空航天大学202教研室 * 1.稳压二极管 U I IZmin IZmax ?UZ ?IZ 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 三、一些具有特殊功能的二极管 * 北京航空航天大学202教研室 * Izmin为稳压管DZ的最小允许电流，Izmax为最大允许电流，输入电压vI在VImin～VImax变化时，要使DZ正常工作，则限流电阻R必须满足下列关系： ① 在VImax和Ilmin时，IZ应不超过最大允许电流Izmax： ② 在VImin和Ilmax时，IZ应不低于最小允许电流Izmin： * 北京航空航天大学202教研室 * （5）最大允许功耗 稳压二极管的参数: （1）稳定电压 VZ （2）电压温度系数 ?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 * 北京航空航天大学202教研室 * 2.发光二极管 3.光电二极管 * 北京航空航天大学202教研室 * 实际二极管的照片1： * 北京航空航天大学202教研室 * 实际二极管的照片2： * 北京航空航天大学202教研室 * 实际二极管的照片3： * 北京航空航天大学202教研室 * * 北京航空航天大学202教研室 * * 北京航空航天大学202教研室 * vb * 北京航空航天大学202教研室 * 采用恒压降模型： 二极管的交流小信号模型（微变等效电路）？ * 北京航空航天大学202教研室 * 问题：求iD？ 直流分量 交流分量 直流电路 交流电路 直流等效电路 交流等效电路 二极管恒压降模型 二极管交流等效模型 叠加原理 结论： 先直后交！先静后动！ 非线