超大规模集成电路技术基础82修改过.pptVIP

8.5.2 化学气相淀积 金属化工艺： CVD比PVD能形成一致性更好的台阶覆盖层， 且适用于大批量淀积。 1. CVD钨（电阻率 5.3 ，熔点 3382 ：金属层及钨插塞） （1）硅衬底 首先，采用选择性W 淀积成核层： （硅还原反应） 然后，再用覆盖式W 淀积加厚层： （硅烷还原反应） 黄君凯 教授 （2）非硅衬底 首先，利用硅烷还原反应生成具有高淀积率和小W 晶粒尺寸的成核层；然后，采用具有极佳台阶覆盖性的选择性W 淀积加厚层： （氢还原反应） 2. CVD TiN（PVD 或CVD: 金属扩散阻挡层和防反射层） CVD比PVD具有更好台阶覆盖： 注意： 高温下TiN 成膜质量更好。 黄君凯 教授 侵蚀氧化层并使W表面粗糙 8.5.3 铝的金属化（铝熔点660 ，电阻率2.7 ） 1. 结的尖锲现象 （1）Al-Si相图 Al-Si 共熔温度：Al-Si 组合使系统 熔点降至低于任一组分，其熔融温 度最小值为共熔温度577 。 Al 在Si 中的固熔度（大图）： 550 时约1% Si 在Al 中的固熔度（小图）： 400 时25%，500 时80%。 [结论] Al 不能熔于Si，但Si 则完全能 熔于Al。 黄君凯 教授 图8-24 Al-Si相图： Al在Si中的固熔度（大图） 和Si在Al中的固熔度（小图） 固熔度很大 铝熔点 Al-Si共熔温度 硅熔点 固熔度可忽略 (2) 尖锲现象 设S为退火温度下Si 在Al 中固 熔度，若右图中体积为 的Si，在时间t 内以D 扩散而熔解 在Al中，范围为 ， 则Al 和Si 的密度 和 有： 这里 和 分别为 和 中的Al 及Si 原子数， 为 Al-Si 接触孔面积。 解出： （8-1） [结论] 由于Si 被消耗，Al 填入Si 中的深度为b; 实际的A很小, 故b远大于上式，Si 中形成Al 的尖锲引起结短路。 黄君凯 教授 图8-25 Si 在Al 中扩散 （3）预防方法 Al-Si 合金金属化引线（共蒸发）： 在纯Al 中加入Si，使合金中含硅量满足固熔度要求。但会造成硅在多晶Al 分凝而形成硅单晶“结瘤”。 Al/Si 之间增添金属阻挡层（TiN、TiW ） 黄君凯 教授 图8-26 铝尖锲 图8-27 Al/Si 之间的阻挡层 2. 电迁移 （1）物理机制 引线原子与其中的电子流之间相互作用，结果形成空洞和积累，导 致引线开路（断裂）和短路。 （2）导线平均失效时间 MTF 电流J 通过后，50%互连引线失效的平均时间为： （8-2） 式中C为常数，A为引线截面积，n取值2至3，Ea为激活