现代CMOS工艺基本流程课件.pptVIP

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2019-02-05 发布于天津
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现代CMOS工艺基本流程课件.ppt

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现代CMOS工艺基本流程课件

* Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 IMD抛光 IMD抛光 CMP * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 Photoresist 光刻胶成形光刻胶成形用于定义通孔(Vias) * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 通孔刻蚀通孔刻蚀基于氟的RIE，获得垂直的侧墙提供金属层之间的连接 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 除去光刻胶 * Tungsten Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug TiN和钨淀积 TiN和钨淀积同第一层互连 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug 钨和TiN抛光钨和TiN抛光同第一层互连 * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Contact Metal1 Via1 平面视图--------通孔完成通孔 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Metal2 Metal2淀积 Metal2淀积类似于Metal1 厚度和宽度增加，连接更长的距离，承载更大的电流 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 光刻胶成形光刻胶成形相邻的金属层连线方向垂直，减小层间的感应耦合 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 Photoresist IMD1 W Via Plug Metal2 Metal2刻蚀 Metal2刻蚀类似于Metal1 * Silicon Substrate P+ Silicon Epi Layer P- P- Well N- Well N+ Drain N+ Source P+ Drain P+ Source BPSG W Contact Plug Metal1 IMD1 W Via Plug Metal2 除去光刻胶 * Trench Oxide Polysilicon Cross Section N- Well P- Well N+ Source/Drain P+ Source/Drain Spacer Cont