第3章电子束曝光技术.PDF

第3章 电子束曝光技术 杨柳 optyang@ https :/// optyangliu 电子束曝光（Electron Beam Lithography ）是利用某些高分子聚合物 对电子敏感而形成曝光图形的。与光学曝光的本质是一样的，但可 获得非常高的分辨率。 为了避免与光刻胶混淆，这里使用抗蚀剂（resist ）来称呼对电子敏感的胶。 电子具有波粒二象性，其德布罗意波长： ℎ ℎ 1.226 h是普朗克常数；e是基元 = = = （nm） 2 电荷；m是电子静止质量 • 当电子加速电压为1-100V时，电子波长仅为0.12-1.2 nm。 • 电子能量越高，波长越短，因此具有极高的分辨率。 • 但是，限制电子束曝光分辨率的因素不是电子波长，而是各种 电子像差和电子在抗蚀剂中的散射。 因为电子束曝光的效率远远低于光学曝光的效率，所以，电子束曝光至今 仍没有进入大规模生产领域。 光学曝光必须通过掩模实现，而电子束曝光可以直接在抗蚀剂层写出图形。 电子束曝光是制作光学掩模的主要工具之一。 2 第3章 电子束曝光技术 • 电子光学原理 • 电子束曝光系统 • 电子束曝光图形的设计与数据格式 • 电子束在固体材料中的散射 • 电子束曝光的邻近效应及其校正 • 低能电子束曝光 • 电子束抗蚀剂及其工艺 • 电子束曝光的极限分辨率 • 电子束曝光的计算机模拟 • 高产出率电子束曝光技术 3 电子束曝光系统的核心部分是对电子束聚焦偏转的电子光学系统。 电子光学：描述电子在电磁场中的运动规律。 电子光学与光线光学的不同之处： 光线光学 电子光学 折射率不连续 折射率与电子能量的平方根成 正比，在空间上是连续的 折射率在1-2.5之间 折射率取决于空间电位，可以 达到很高的值 可以通过任意改变透镜的折 空间电场分布无法任意改变， 射面曲率来消除某些像差 校正像差方法完全不同 光子之间无排斥力，无空间 电子之间具有排斥力，空间电 电荷效应 荷效应会破坏电子束的聚焦 4 （1）电子透镜 • 电子是带负电的粒子，在静电场中会受到电场 力的作用，使运动方向发生偏振，设计静电场 的大小和形状可实现电子的聚焦和发散。通过 电场改变电子波运动轨迹的装置称为静电透镜。 • 运动的电子在磁场中可受到磁场力的作用，产 生偏转，从而达到会聚和发散的效果。通过磁 场改变电子波运动轨迹的装置称为磁透镜。 5 静电透镜 静电力： = = − 0 V 1 V 0 V 1 V 0 V