G943119六页稿.doc-东海大学化学工程与材料工程学系.doc

利用濺鍍法製備氮化鈦薄膜之研究 研究生：羅鈞炫 指導教授：何志松 指導教授簽名：____________ 日期：__________ 摘要 本研究以濺鍍法於矽晶圓基材上製備氮化鈦薄膜，製程控制條件分四大項：一、濺射電源(700/800/900 V)，二、偏壓電源(50/100/200 V)，三、氮氣通入量(10/20 /30/40 sccm )，四、濺鍍時間。製備好的氮化鈦薄膜，利用SEM、EDS、XRD、Alpha-Step、impedance analyzer等儀器做性質分析。 成長速率最快的濺鍍條件為濺射電源800 V，偏壓電源50 V，氮氣量30 sccm，其成長速率為11.95 nm/min。成長速率最慢的濺鍍條件為濺射電源900 V，偏壓電源100 V，氮氣量30 sccm，其成長速率為1.34 nm/min。 經XRD分析薄膜， 2θ角在37.5°、43.6°、63.5°、68.8°、及78.3°的地方，分別出現(103)、(200)、(220)、(301)、及(224)等Ti2N結構的繞射峰。 1. 緒論 濺鍍法主要是由於濺射現象的發現而產生，濺射現象早在一百年前就已被發現並被應用於鍍膜方面。至今，濺鍍法在產業界已是成熟且普遍的技術。基於電漿產生方式的不同，濺鍍法又可分為直流濺鍍、射頻濺鍍、磁控濺鍍、非平衡磁控濺鍍、及封閉式非平衡磁控濺鍍等方