增强型NMOS管特性曲线v-GitHub.PPTVIP

共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。 当uBE不变，uCE从零增大时，iB将减小 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起，即uCE对输入特性几乎无影响 在vCE1V,上升很陡，由于反向电压vCE将电子拉入iC的能力在增强; 在vCE1V后，平坦上升，是由于集电极电场已经足够强，将发射极的大部分电子拉出; 上升倾斜的原因是由于随vCE 变大，集电极的厚度加宽，致使基区的有效宽度减少，这样基区内电子复合机会减少，即电流放大倍数β也相对变大，因此iC在vCE增大时仍有上升– 基区宽度调制效应 饱和区： IC达饱和， IC与IB不是?倍的关系， ?IBIC 。BE结正偏，BC结正偏 ，即UCE?UBE （UCE?0.3V ，UBE?0.7V）。 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0，（ ICEO穿透电流，很小， ?A 级）。 ICBO：集电极—基极间反向饱和电流，为发射极开路时，集电结反向饱和电流。 ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。 ICEO：集电极—发射极间反向饱和电流，又称为集-射间穿透电流，相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 分类： ①按结构分为结型(Junction FET，JFET)和绝缘栅型(Insulated Gate FET，IGFET) 。JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 ②按导电沟道分有N沟道和P沟道，N沟道主要靠电子导电，P沟道主要靠空穴导电。 ③按工作方式分有增强型和耗尽型。增强型管内无原始导电沟道，耗尽型管内有原始导电沟道。 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 当VGS=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的 PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在D、S间也不可能形成电流。 当 0＜VGS＜VT (开启电压)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。 当VGS＞VT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。 当VGS＞VT且固定为某值的情况下，若给漏源间加正电压VDS则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流ID，当ID从D ? S流过沟道时，沿途会产生压降，进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。源极端电压最大，为VGS ，由此感生的沟道最深；离开源极端，越向漏极端靠近，则栅—沟间的电压线性下降，由它们感生的沟道越来越浅；直到漏极端，栅漏间电压最小，其值为： VGD=VGS-VDS , 由此 感生的沟道也最浅。可见，在VDS作用下导电沟道的深度是不均匀的，沟道呈锥形分布。若VDS进一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT 时，则漏端沟道消失，出现预夹断点。 当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。 当VDS增加到使VGD?VT时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此，