射频反应磁控溅射制备的SnO2及SnO2_F薄膜-中国建筑材料联合会.PDFVIP

第 45 卷第 4 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 45 ，No. 4 2 0 1 7 年 4 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY April ，2017 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2017.04.02 射频反应磁控溅射制备的SnO 及SnO :F 薄膜结构与透明导电性能 2 2 1 1, 2 1 1 1 1 1 杨玉婷 ，祝柏林 ，谢 挺 ，张俊峰 ，吴 隽 ，甘章华 ，刘 静 (1. 武汉科技大学，省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室，武汉 430081; 2. 华中科技大学，材料成形与模具技术国家重点实验室，武汉 430074) 摘 要：以Sn 和 Sn+SnF 为靶材，采用射频(RF)反应磁控溅射法在 150 ℃不同 O 流量下制备了厚度约为 300 nm 的 SnO 和 2 2 2 SnO2 :F 薄膜。通过 X 射线衍射、Hall 效应测试系统和紫外–可见分光光度计研究了两种薄膜的结构和透明导电性能。结果表 明：随O 流量增加，SnO 薄膜由非晶变为多晶，择优取向从(101)面过渡到(211)面，薄膜电阻先减小后增大，平均透光率逐 2 2 渐上升。随 O 流量增加，SnO :F 薄膜结构与透明导电性能的变化规律与 SnO 薄膜类似，SnO :F 薄膜的择优取向依次为(002)、 2 2 2 2 (101)和(211)面，由于 F 掺杂，SnO2 :F 薄膜的载流子浓度和迁移率明显增加，电阻率降低，同时平均透过率有所提高。目前， –3 在合适的 O 流量下，SnO :F 薄膜可达到的最低电阻率为 4.16 ×10 Ω·cm，同时其平均透光率为 86.5%。 2 2 关键词：射频反应磁控溅射；氧化锡薄膜；氟掺杂；氧气流量；透明导电性能 中图分类号：TN304 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2017)04–0472–06 网络出版时间： 网络出版地址： Structure and Transparent Conductive Properties of SnO and SnO :F Films Deposited by RF 2 2 Reactive Magnetron Sputtering