碲镉汞光伏探测器的变面积表面钝化研究.pdfVIP

第 29 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 29 　No . 7 2008 年 7 月 J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS J uly ,2008 碲镉汞光伏探测器的变面积表面钝化研究 乔 　辉 　徐国庆 　贾 　嘉 　李向阳 ( 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室 , 上海 　200083) 摘要 : 利用同一片碲镉汞材料制备了由单层 ZnS 和双层 Cd Te/ ZnS 作钝化膜的变面积光伏探测器 , 对两种钝化膜结构的 ( ) ( ) 变面积器件进行了对比研究. 通过分析两种器件的电流电压 IV 特性曲线以及零偏电阻面积乘积 R0 A 与周长面积比 ( p / A) 的关系曲线 , 发现 ZnS 钝化的器件具有较大的表面漏电流; 通过分析两种器件的电流噪声与暗电流的关系 , 发现 ZnS 钝化的器件的噪声特性较接近散粒噪声 , Cd Te/ ZnS 双层钝化的器件则表现出较好的基本 1/ f 噪声特性 , 使得器件噪 声要小于单层 ZnS 钝化的器件. 关键词 : 钝化; 变面积; 散粒噪声; 1/ f 噪声; 光伏探测器; 碲镉汞 PACC : 6820 ; 6855 ; 6 110 中图分类号 : TN 3042 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2008) 通过在 p 型碲镉汞材料上进行 B + 注入形成 n 型区, 然 1 　引言 后生长钝化膜对表面进行钝化 , 制备电极后封装于真空 杜瓦内进行测试. 钝化膜的生长使用北仪 D M450C 型 ( ) 碲镉汞 H g1 - x Cd x Te 光伏探测器是一种重要的碲 热蒸发镀膜机; 单层 Z nS 钝化膜结构为 Z nS/ H g C d Te , ( ) Z nS 厚度为 200n m , 双层 C d Te/ Z nS 钝化膜 结构为 镉汞红外器件 , 其中光伏焦平面器件 F PA 代表 目前碲 镉汞器件发展的方向. 碲镉汞光伏器件的表面钝化一直 Z nS/ C d Te/ H g C d Te , Z nS/ Cd Te 厚 度 为 200n m/ μ μ μ 是器件制备中备受关注的问题 , 因为表面钝化效果直接 110n m . 器件光敏元面积从 90 m ×90 m 到 270 m × μ ( ) 影响到器件最终的性能和成品率. 针对碲镉汞光伏器件 270 m ,器件测试温度为液氮温度 77 K ,测试内容包括 ( ) 的表面钝化 , 降低器件表面漏电流 , 人们已经提出了许