反应限制聚集模型的动力学行为的研究!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ F $$’ F ， ， ， T/1 8’ S/ 8F UD1 $$’ （ ） #$$$;(K$L$$’L’ $F L(($F;$’ 7BM7 NOPQRB7 QRSRB7 !$$’ BV.0 8 NV@ 8 Q/, 8 ############################################################### 反应限制聚集模型的动力学行为的研究! ! 唐 军 杨先清 仇 康 （中国矿业大学理学院，徐州 #$$%） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$ ## #’ $$ # #( 根据反应限制聚集（ ， ）模型，研究表面活性剂存在时的薄膜外延生长动力学过程 )*+,-./0 1.2.-*3 +44)*4+-./0 567 8 研究结果表明，在二维岛的生长初期，分形岛与紧致岛具有不同的岛密度和“死”原子密度（岛的相对总面积）增长 方式：分形岛密度随覆盖率生长指数小于 ，紧致岛密度的生长指数大于 ；分形岛相对总面积随覆盖率线性增长， # # 紧致岛相对总面积随覆盖率非线性增长8 关键词：反应限制聚集模型，岛密度，“死”原子密度 ： !## 9%’’ 这为进一步控制薄膜生长过程提供了理论依据8 #A 引 言 A 反应限制聚集模型和动力学蒙特卡 现代微电子及光电子工业正朝着微型化的方向 罗（ ， ）模拟 G.0*-., H/0-* B+)1/ IHB 发展，预计 世纪的电子器件的尺寸将在 量级， # 02 ［，］ # 9 这些器件的材料一般都是通过薄膜生长而获得 反应限制聚集模型 考虑 类原子在覆盖有 ! ［］ 的# 揭示薄膜生长中原子过程的动力学机理，为 一满单层表面活性剂 的基底 上的生长过程 在 8 # 8 同质外延生长中， ；在异质外延生长中， 在薄膜的制备中提高质量提供了理论依据 因此，