三半导体存储器原理.DOCVIP

实验五 半导体存储器原理实验 一、实验目的 掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。 二、实验内容 1、实验原理 主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，如图所示，它的数据总线连到外部数据总线EXD0～EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273（U37）给出，地址值由8个LED灯LAD0～LAD7显示，高电平点亮，低电平熄灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关KD0～KD7提供，并经一三态门74LS245（U51）连至外部数据总线EXD0～EXD7，实验时将外部数据总线EXD0～EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0～BUSD7，分时给出地址和数据。它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。手动方式下，写信号由W/R`提供，片选信号由CE`提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。 由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其实际使用容量为256字节。6264有四个控制线：CS1为第一片选线、CS2为第二片选线、OE读出使能线及WE写使能线。其功能如表所示。CS1片选线由CE’控制（对应开关CE）、OE读出使能线直接接地、WE写使能线由W/R’控制（对应开关WE）、CS2直接接+5V。 图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR拨至左侧，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。 2、实验接线 ① MBUS连BUS2； ② EXJ1连BUS3； ③ 跳线器J22的T3连TS3； ④ 跳线器J16的SP连H23； ⑤ 跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨至左侧（手动位置）。 3、实验步骤 ① 连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。 ② 形成时钟脉冲信号T3，方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。将“运行控制”开关置为“运行”状态、“运行方式”开关置为“连续”状态时，按动“运行启动”开关，则T3有连续的方波信号输出，此时调节电位器W1，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号；本实验中“运行方式”开关置为“单步”状态，每按动一次“启动运行”开关，则T3输出一个正单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。 6264功能表： 工作 方式 I/O 输入 DI DO /CE /WE /CS 非选择 X HIGH-Z X X H 读出 HIGH-Z DO L H L 写入 DI HIGH-Z H L L 写入 DI HIGH-Z L L L 选择 X HIGH-Z H H L ③向存储器的00地址单元中写入数据11，具体操作步骤如下： KD0-D7KD0-D7数据开关置数 SWB=0 开输入三态门 数据置入地址寄存器 SWB=1 SWB=1 CE=1 CE=1 SWB=0 LDAR=1 T3= KD0-D7开输入三态门 数据开关置数 SWB=0 LDAR=0 SWB=0 CE=0 LDAR=0 T3= WE=1 数据置入存储器RAM 如要对其它地址单元写入内容，方法同上，只是输入的地址和内容不同。 ④ 读出刚才写入00地址单元的内容，观察内容是否与写入的一致。具体操作步骤如下： KD0-D7KD0-D7数据开关置数 SWB=0 开输入三态门 数据置入地址寄存器 SWB=1 CE=1 CE=1 ?SWB=0 LDAR=1 T3= SWB=1 CE=0 LDAR=0 WE=0 数据从存储器读出 三、实验电路图