第一讲CMOS器件物理.pdfVIP

CMOS器件物理 CMOS器件物理 模拟集成电路设计基础 CMOS器件物理 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 理想MOS二极管 • MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是由一个MOS二极 管与两个背对背相接的pn结组成。 • 理解MOS二极管原理是深入理解MOSFET的 基础。 • 当一理想MOS二极管偏压为正或负时，半导 体表面会出现三种情况。 • 以p型半导体为例。 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 • 当V0 时，SiO2 －Si界面处将产生超量的正载 流子（空穴），进而在SiO2 －Si界面处产生空 穴堆积，此为积累 （accumulation ）现象。 • 当外加一小量正电压时，由于场效应作用，排 斥多子，形成耗尽区，此为耗尽 （depletion）现象。 • 当外加一更大的正电压时，栅极电压开始在 SiO 2 －Si 界面处吸引更多的负载流子（电 子），当表面的电子（少子）数目远大于空穴 （多子）时，表面呈现反型 （inversion ）。 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 MOS器件结构 • 多晶硅：包含许多不同大小及方向的单晶的Si材料； • 以多晶硅代替铝作为MOS器件的栅极材料是MOS技术 的一项重大发展。其中一个重要原因是多晶硅栅电极 的可靠性大大优于铝电极。 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 NMOS与PMOS 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 MOSFET Layout 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 电气符号 教科书中用得多 如何记忆 符号？ EDA软件中用得多 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 MOS管工作原理（NMOS为例，定性分析） 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 北京航空航天大学 电子信息工程学院 夏温博 CMOS器件物理 CMOS器件物理 工作原理总结 • 由栅极电压控制的MOS管的垂直电场控制沟 道的导通和截止； • 联系MOS二极管的积累、耗尽和反型现象。 • 由源漏电压控制的水平电场控制沟道电流的大 小； •