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第 12 卷 第 5 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．12，No．5
2014 年 10 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Oct．，2014
文章编号：2095-4980(2014)05-0644-04
基于二氧化钒薄膜的太赫兹开关器件
1,2b 2a,2b 2a,2b 2a,2b 1 2b 2a,2b*
郭 超 ，罗振飞 ，王 度 ，孔维鹏 ，孙年春 ，杨存榜 ，周 逊
(1. 四川大学 电子信息学院，四川 成都 610065 ；2. 中国工程物理研究院 a.太赫兹科学技术研究中心，四川 绵阳 621999 ；
b.激光聚变研究中心，四川 成都 610041)
摘 要 ：二氧化钒(VO )作为一种优质的光电功能材料一直备受人们的关注，在信息存储、光
2
调制器、太阳能电池、光电探测器等方面有着重要应用。采用磁控溅射及原位退火氧化的“两步
法”制备了 VO2 薄膜，并对其进行晶态、形貌表征。设计并搭建 VO2 薄膜热致相变实验系统，研究
了 VO2 薄膜在变温条件下对 2.52 THz 辐射的开关特性。结果表明，VO2 薄膜样品为多晶态，具有明
显的太赫兹调制效果，可以实现对 2.52 THz 波的调制，并可作为太赫兹开关/调制器件的功能材料。
关键词 ：太赫兹；VO2 薄膜；开关器件；热致相变
中图分类号 ：TN204 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201405.0644
Terahertz switching device based on vanadium dioxide thin film
1,2b 2a,2b 2a,2b 2a,2b 1
GUO Chao ，LUO Zhen-fei ，WANG Du ，KONG Wei-peng ，SUN Nian-chun ，
YANG Cun-bang2b 2a,2b *
，ZHOU Xun
(1.School of Electronics and Information Engineering，Sichuan University，Chengdu Sichuan 610065，China；
2a.Terahertz Research Center，China Academy of Engineering Physics，Mianyang Sichuan 621999，China；
2b.Research Center of Laser Fusion，Chin
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