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模拟电子技术习题（部分） 教材：《模拟电子技术基础》（第四版） 华中理工大学 康华光主编 第二章习题解答 习题2.4.4 解题的原则：先断开二极管，计算二极管连接点的电位高低。 A: VA=1V, VB=3.5V, D 截止 B: VA=1V, VB=1.5V, D 截止 C: VA=1V， VB=0.5V, D 临界状态 习题2.4.5 A: B: 习题2.4.6 习题2.4.8 习题2.4.12 习题2.5.1 第三章习题解答 基本放大电路 模拟电子习题3 P 140 3.1.1 解题要点:先确定发射结(三极管放大，则正向电压0.2——0.3V或0.6——0.7V)及集电极,就可以知道管子的材料及类型。 在本题中：A：为集电极且电位最低，所以管子是PNP型，B——发射极，C——基极，三极管是锗材料。 习题3.1.2 三极管各极电流关系：IE=IC+IB 所以，A为集电极，B为基极，C为发射极。管子为NPN型， 习题3.1.4 IC=PCM／VCE=15mA 若IC=1mA，则VCE不得超过30V。 习题3.2.1 不能放大，电源接反、发射结短路。 能。 不能，Rb接错。 不能，VCC接反 习题3.2.2 A位置：IB=(12-0.6)/40K=0.285mA, IC=22.8mA, VCE0V，因此管子饱和，实际IC=3mA B位置：IB=(12-0.6)/500K=0.0228mA, IC=1.824mA, VCE=4.7V，管子工作在放大区。 C位置：发射结反偏，截止，IC=0。 习题3.3.2 (a)：放大。 (b)：放大。 (c)：饱和。 (d)：截止。 (e)：饱和。 习题3.3.6 VCC=6V, IBQ=20μA, ICQ=1mA, VCE=3V; Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)，RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K; Vom=1.5V, ibMAX=20μA 习题3.4.2 IBQ=0.04mA, ICQ=2mA, VCEQ=4V H参数等效电路 习题3.4.3 IB=IC/β＝1mA/20=0.05mA， Rb=12V/0.05mA=240K， rbe=300+26β/ICQ=820， |AV|=βRC/rbe=100，得RC=4.1K。VCE=12V-1mA×4.1K＝7.9V 习题3.4.4 1. 计算Q点： IBQ=-(12V-0.7)/0.3M=－0.038mA ICQ=-0.038β＝-3.8mA，VCEQ=-4.4V 2. H参数等效电路，图中rbe=984 习题3.4.5 IBQ=(VCC-VBE)/R1, ICQ=βIBQ， VCEQ=VCC－ICQ(R2+R3) AV=-βRL’/rbe，式中RL’=R2//RL Ri=R1//rbe Ro=R2 3. C3开路，AV, Ro都增大 习题3.5.1 IBQ=(12-0.7)/750K=15μA, ICQ=0.015×60=0.9mA, VCEQ=12-0.9×6.8=5.88V; 75度时，β＝75, VBE=0.6V， IBQ=(12-0.6)/750K=15.2μA, ICQ=0.0152×75=1.14mA, VCEQ=12-1.14×6.8=4.25V; β=115, IBQ=15,ICQ=1.725mA, VCEQ=0.27V, 饱和 习题3.5.4 VBE=10×Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V, IEQ≈ICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA, VCEQ=10-1.79×(2K+2K)=2.84V, rbe=1.75KΩ, AV1=-[ri/(ri+RS)]×βRL’/[rbe+(1+β)Re ] =-0.98× [ri/(ri+RS)], AV2≈ri/(ri+RS) 3. ri=Rb1//Rb2//(rbe+101×2K)≈8.5KΩ, 4. Ro1=2K, Ro2=[(RS//Rb1//Rb2+rbe)/(1+β)]//Re 习题3.6.2 IBQ=(12-0.7)/(Rb+51×Re)=21.7μA, ICQ=βIBQ=1.086mA，VCEQ=-6.5V, rbe=1.5K AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV 习题3.7.1 |AVM|=60db=10