DBD—PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研究.pdfVIP

第29卷 第5期 真 空 科 学 与 技 术 学 报 2009年 9、10月 CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY 479 DBD—PECVD法制备 CN薄膜的结构及性能研究 张莲莲 ， 刘艳红 牛金海 刘东平 (1．大连理工大学物理与光电工程学院 大连 116023； 2．大连民族学院光电子技术研究所 大连 116600) MicrostructuresandPropertiesofCN FilmsGrownbyDielectricBarrier DischargePlasmaEnhancedChemicalVaporDepo sition ZhangHanlian_，LiuYanhong，NiuJinhai2 ，LiuDongpingz (1．SchoolofPhysicsandOptoelectronicTechnologyofDalianUniversityofTechnoloyg，Dalian，116023，China； 2．InsttiuteofOptoelectronicTechnoolyg ，DalianNationalitiesUniverstiy，Dalian，116600，China) Abstract 111ecarbonnitridefilmsweregrownbydielectricbarrierdischargeplasmaenhancedchemicalvaporde— position(DBD—PECVD)withgas—mixturesofC|I4／N2，C2H2／N2andC2H4／N2，respectively，onsiliconsubstrates．rIheⅡli— crostructuresnadpropertiesoftheCNfilmswerecharacterizedwithFouriertransformInfraredspectroscopy(rrm)，Ra· manspectroscopynadatomicforcemicroscopy(AFM)．I11einfluenceofhtefilmgrowthconditionsonthefiml qualityWas studied．Diamond—likestmctumsna dC—Nbondswereobservedinhtefilms．Theresultsshowhtathtetypeofhtegasmix— traesandhtedischragepressurestron~yaffecthtedepositionratenadthesurfaceroughness．Forexample，htefilmde— positedinhteCH4／N2gas mixtureshowshtelowestdepositionratenadtheleastH contentsofhtethreegas mixtures， whereashteoneinhteC2U2／N2showshtehighestdepositionrate．Th eCN films deposited’vit|lCHd／N2gas mixtureare smoohterhtanthosedepositedwithbothC2H2／N2nadc2H4／N2，gas mixtures． Keywords CN film，Fiml stmcture，Dielectricbarrierdischarge，F1TR，AFM，Raman 摘要 使用 自行设计的真空系统，采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积 (DB PEcvD)法，分别以c}I4／N2、 C2H2／N2、C2 ／N2混合气体作为反应气体，在单晶硅片上成功制备了CN薄膜。FrIR结果证实了薄膜 中碳氮原子结合成化学 键 ，Raman结果说明薄膜中含有类金刚石结构，AFM结果表明薄膜粗糙度随放电气压的升高而逐渐增大。三种 昆合气体沉积 的CN薄膜 ，以cH4／N2的沉积速度最慢，薄膜表面粗糙度最小 ，含 H量最少 ；C2H2／