BZO和AZO非微晶叠层电池结构与稳定性研究.pdfVIP

技术 薄膜 低压化学气相生长ZnO:B和溅射制备ZnO:Al的 非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池的结构与稳定 性研究 1 1,2 1 1 2 2 Brad Tinkham , Clement David , Andreas Neumann , Daniel Sixtensson , Thierry Girardeau Fabien Paumier 1 2 德国柏林Inventux 科技公司; 法国普瓦捷法国国家科学研究中心，普瓦捷大学物理与材料机械系，P PRIME实验室 本文原载于第十四期《Photovoltaic International》季刊中 摘要: 由于氧化锌(ZnO)具有良好的电学和光学特性，其已被广泛用于商业化太阳能电池的前、背电极上。氧化锌可以通 过各种不同的方法沉积于玻璃之上，其中使用真空技术的制备方法是工业化应用所最普遍采用的方法。溅射掺铝氧化 锌(AZO)作为非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池的前接触电极已经被广泛地研究。但由于沉积/后续刻蚀复合工艺较差的可 重复性，使得AZO制造的批量生产受到限制，其中刻蚀步骤是用于调节膜层的“雾度”以获得最佳的光学散射性能的必 要步骤。而采用低气压化学气相沉积法(LPCVD)制备掺硼氧化锌(BZO)对组件制造商而言已成为一种经济有效的方法， 这是由于这种方法无需进行后续的化学刻蚀即可获得理想的膜层形态。本文研究了在批量生产中以AZO和BZO作为非晶 硅/微晶硅叠层太阳能电池的前接触面的差异。下层ZnO层的特性限定了上层膜的特性以及沉积非晶硅/微晶硅薄膜的工 艺参数。 前言 过程中进行后生长热处理，在生长后直接进行的膜层特性 表征测量结果并不一定能代表终端产品中BZO的膜层特性。 作为衬顶太阳能电池结构的第一镀层，ZnO前接触层要 本次实验使用了欧瑞康太阳能公司制造的TCO1200商 经历整个工艺流程中所有的后续沉积步骤。后续沉积处理 业化设备，应用LPCVD技术，在180℃的衬底温度下，将 可对氧化锌薄膜的关键参数，如电阻率和透光性产生重要作 约1500nm厚的硼掺杂ZnO膜在3.2毫米厚的玻璃上进行沉 用，进而影响组件的性能。尽管人们已经对氧化锌电性能 积。ZnO生长的前驱气体为二乙基锌和水蒸气，掺杂的硼 变化的内部机理进行了广泛的研究，但依然存在诸多问题。 来自乙硼烷。生长结束后，样品经过离散工艺步骤退火至 400℃，并依照布拉格-布伦塔诺(Bragg-Brentano)几何光 路使用X射线衍射进行原位测量。X射线测量是在连续的温 “后续沉积处理可对氧化锌薄 度上升过程中进行的，并对暴露在大气之中以及0.1mbar (毫巴)真空内的样品进行间隔温度为5℃的扫描。电导率变 膜的关键参数，如电阻率和透 化的研究通过两种方法同时进行：对ZnO/玻璃薄膜进行退 火处理，以在不同的热处理温度进行测量，以及依次制备 光性产生重要作用，进而影响 用于傅立叶变换红外光谱(FTIR)测量的样品。另外还进行 组件的性能。 ” 了霍尔效应的测量，并通过对载流子迁移率(μe)和载流子 密度(Ne)的测量，印证了FTIR测量中所观察到的变化趋势。 LPCVD制备硼掺杂氧化锌(BZO)技术起源于20世纪90年 分析与讨论 代中期瑞典的Neuchâtel光伏与薄膜电性能实验室[1]。BZO 对于在真空中进行退火工艺的ZnO/玻璃样品而言，薄