基于MEMS技术硅磁敏三极管差分结构制作及特性研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

分类号 分类号 ．． U D C - 密级 ．垒 五 ． 暑哦 ≯产篝 硕士研究生学位论文 基于MEMS技术硅磁敏三极管差分结构 制作及特性研究 申请人： 关涵瑜 学 号： 2121287 培养单位： 电子工程学院 学科专业： 微电子学与固体电子学 研究方向： 传感器MEMS 指导教师： 赵晓锋教授 完成日期： 2015年5月10日 万方数据 一IYII 一IYII■_●■●●■■■■■—■●●■—___■—●●■—■■■■■—■■—■■■■———■■—■■■●■■i■■●■■●—■■—■_■●——■■■—■一 IIl2II 117Ii 7i111itiii鬯0111113114III 中文摘要 本文在分析立体结构硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性基础上，给出 集成化硅磁敏三极管差分结构，该集成化结构由两个相反磁敏感方向的硅磁敏三 极管(T．1管和T-2管)和集电极负载电阻构成，包括一个发射极(E)、两个基极 (Bl、B2)、两个集电极(Cl、C2)和两个集电极负载电阻(风I、弛)。理论分析 给出，该结构能够实现外加磁场测量且磁灵敏度得到提高，根据基本结构，采用 ATLAS软件构建硅磁敏三极管差分结构仿真模型，分别研究基区长度上和基区宽 度Ⅵ，对集成化硅磁敏三极管差分结构磁特性的影响，实现结构尺寸优化，基于上 述，本文采用MEMS技术在P型100晶向双面抛光高阻单晶硅