基于MET的高压VDMOS器件模型研究-微电子学与固电子学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Dissertation Submitted to Hangzhou Dianzi University for the Degree of Master A Study of High Power VDMOS Model Based on MET Model Candidate: Han Shan Supervisor: Vice Prof. Li Wenjun Vice Prof. Liu Jun December，2014 杭州电子科技大学 学位论文原创性声明和使用授权说明 原创性声明 本人郑重声明： 所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研 究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不含任何其他个人 或集体已经发表或撰写过的作品或成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集 体，均已在文中以明确方式标明。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切相关责任。 论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文使用授权说明 本人完全了解杭州电子科技大学关于保留和使用学位论文的规定，即：研 究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属杭州电子科技大学。本人保证 毕业离校后，发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为杭州电子科技大 学。学校有权保留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文 的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。（保密 论文在解密后遵守此规定） 论文作者签名： 日期： 年 月 日 指导教师签名： 日期： 年 月 日 杭州电子科技大学硕士学位论文 杭州电子科技大学硕士学位论文 摘 要 功率 VDMOS(Vertical Conduction Double-Diffused Metal Oxide Semicondu ctor)（垂直双扩散场效应晶体管）器件是功率电子的主流产品之一。凭借其输入 阻抗高、安全工作区宽、开关速度快和热稳定性好等很多特点，VDMOS 广泛地 应用于开关电源、电机驱动、节能灯和汽车电子部件等各种领域。我国在 VDM OS 器件研究方面已经取得了不少进展，但是还不够成熟，而且我国很多 VDMO S 产品需要进口，于是，对功率 VDMOS 器件的特性探究及其模型建立和模型优 化存在着非常重要的意义。 论文选取士兰微电子近期推出了新一代高压 MOSFET 产品——S-RinTM 系 列高压 VDMOS，应用于 AC-DC 功率电源，DC-DC 转换器以及 PWM 马达驱动 等领域。本文简要介绍了 VDMOS 应用和发展前景以及模型研究的意义，概述 了模型相关理论，包括 SPICE 模型及其发展，还有 MET 模型的特点和主要考虑 的器件物理机制，接着介绍器件测试系统和模型提取软件及较详细全面的模型提 取步骤，然后介绍功率 VDMOS 的结构发展以及分析了其直流特性、热温度特 性和动态电容特性，最后对 VDMOS 进行直流测试和动态电容测试，包括输出 特性曲线、转移特性曲线（I-V 曲线）以及动态电容曲线（C-V 曲线），选择模 型提取软件对 VDMOS 建模。过程中发现初始 MET 模型由于主要是面向横向结 构 MOSFET 器件，所以无法很好地对 VDMOS 器件进行表征。由此，在 MET 模型的基础上，在 VDMOS 的漏极添加一个受栅极电压跟漏极电压控制的电阻， 很好地拟合 VDMOS 测试数据，提高模型精度，同时论文还在 MET 模型的 VA （Verilog-A）模型文件中进行一些改动，在 Verilog-A 代码中修改原始方程，添 加个别主要用于拟合线性区和饱和区的参数，从而使得优化后的 MET 模型仿真 曲线与 VDMOS 实际 IV 特性相符。对于 CV 曲线拟合的解决办法，论文主要是 对实测数据进行一个分段函数的近似，然后把分段函数用子电路的形式表达出 来，最后通过 Cadence 仿真得到的 CV 曲线拟合度较高，典型器件 Id-Vg 曲线误 差 Err：MAX=100%|RMS=16.96%，Cgd-Vgd 曲线误差 Err：MAX=22.43%|RMS =3.001%。 关键词：SPICE 模型，高压 VDMOS 模型，Freescale MET 模型，参数提取，Verilog I ABSTRACT Power VDMOS device （Vertical Conduction Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor） is one of the power electronic mainstream products. With its higher input impedance, wider safety operating area, faste