具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构-电子学报.PDF

第５期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４６　Ｎｏ．５ ２０１８年５月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｍａｙ　２０１８ 具有 Ｌ型栅极场板的双槽 双栅绝缘体上硅器件新结构 １，２ １ ２ ２ ２ 代红丽 ，赵红东 ，王洛欣 ，石艳梅 ，李明吉 （１河北工业大学电子信息工程学院，天津３００４０１；２天津理工大学电气电子工程学院，天津３００３８４） 　　摘　要：　为了降低绝缘体上硅（ＳＯＩ）功率器件的比导通电阻，同时提高击穿电压，利用场板（ＦＰ）技术，提出了一 种具有Ｌ型栅极场板的双槽双栅ＳＯＩ器件新结构．在双槽结构的基础上，在氧化槽中形成第二栅极，并延伸形成Ｌ型 栅极场板．漂移区引入的氧化槽折叠了漂移区长度，提高了击穿电压；对称的双栅结构形成双导电沟道，加宽了电流纵 向传输面积，使比导通电阻显著降低；Ｌ型场板对漂移区电场进行重塑，使漂移区浓度大幅度增加，比导通电阻进一步 降低．仿真结果表明：在保证最高优值条件下，相比传统ＳＯＩ结构，器件尺寸相同时，新结构的击穿电压提高了１２３％， 比导通电阻降低了３２％；击穿电压相同时，新结构的比导通电阻降低了８７５％；相比双槽ＳＯＩ结构，器件尺寸相同时， 新结构不仅保持了双槽结构的高压特性，而且比导通电阻降低了４６％． 关键词：　场板；击穿电压；比导通电阻 中图分类号：　ＴＮ３３５　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１８）０５１１４６０７ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１８．０５．０１９ ＡＤｕａｌＴｒｅｎｃｈＧａｔｅＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ ＤｅｖｉｃｅｗｉｔｈａＬｓｈａｐｅｄＧａｔｅＦｉｅｌｄＰｌａｔｅ １，２ １ ２ ２ ２ ＤＡＩＨｏｎｇｌｉ ，ＺＨＡＯＨｏｎｇｄｏｎｇ，ＷＡＮＧＬｕｏｘｉｎ，ＳＨＩＹａｎｍｅｉ，ＬＩＭｉｎｇｊｉ （１ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＨｅｂｅｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００４０１，Ｃｈｉｎａ； ２ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＴｉａｎｊｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ３００３８４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｎｄｅｎｈａｎｃｅｔｈｅｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ），ａＤｕａｌ ＴｒｅｎｃｈＧａｔｅｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒｄｅｖｉｃｅｗｉｔｈａＬｓｈａｐｅｄｇａｔｅｆｉｅｌｄｐｌａｔｅｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅｆｉｅｌｄｐｌａｔｅ（ＦＰ）ｔｅｃｈｎｏｌｏ ｇｙ．Ｏｎｔｈｅｂａｓｉｓｏｆｔｈｅｄｕａｌｔｒｅｎｃｈｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，ａｓｅｃｏｎｄｇａｔｅｉｓｆｏｒｍｅｄｉｎｔｈｅｏｘｉｄａｔｉｏｎｔｒｅｎｃｈ，ａｎｄｔｈｅＬｓｈａｐｅｄｇａｔｅｆｉｅｌｄ ｐｌａｔｅｉｓｆｏｒｍｅｄｉｎｔｈｅｅｘｔｅｎｓｉｏｎｏｆｔｈｅｓｅｃｏｎｄｇａｔｅ．Ｔｈｅｄｒｉｆｔｒｅｇｉｏｎｌｅｎｇｔｈｉｓｆｏｌｄｅｄ，ｔｈｅｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅｉｓｉｎｃｒｅａｓｅｄ．Ｔｈｅ ｄｕａｌｇａ