多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究.PDF

第３３卷第６期 矿　 冶　 工　 程 Ｖｏｌ．３３ №６ ２０１３年１２月 ＭＩＮＩＮＧＡＮＤ ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＩＣＡＬ ＥＮＧＩＮＥＥＲＩＮＧ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２０１３ 多热源合成碳化硅温度场的均匀性研究① 王晓刚，陈　 杰 （西安科技大学 材料科学与工程学院，陕西 西安 ７１００５４） 摘　 要：通过对碳化硅冶炼炉内温度场的数值模拟，研究了单热源炉与多热源炉温度梯度的分布与演变规律，并采用Ｘ衍射对多 热源与单热源合成炉中不同部位的合成产品的物相进行了对比分析。 研究表明，多热源合成炉内温度场均匀性更好；适合碳化硅 生长的高温区域，多热源法要大于Ａｃｈｅｓｏｎ单热源法；多热源合成炉内无高温聚集区，生产更平稳、更安全。 关键词：碳化硅；多热源；温度场；均匀性；温度梯度 － 中图分类号：Ｏ５５１ 文献标识码：Ａ ｄｏｉ：１０．３９６９／ ｊ．ｉｓｓｎ．０２５３ ６０９９．２０１３．０６．０２６ － － － 文章编号：０２５３ ６０９９（２０１３）０６ ００９７ ０４ Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｆｉｅｌｄ ｉｎ Ｍｕｌｔｉ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ ＷＡＮＧ Ｘｉａｏ⁃ｇａｎｇ，ＣＨＥＮＪｉｅ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｘｉ′ａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉ′ａｎ ７１００５４，Ｓｈａａｎｘｉ， Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎａｎｄｅｖｏｌｕｔｉｏｎｏｆｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｇｒａｄｉｅｎｔｉｎｓｉｎｇｌｅ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅａｎｄｍｕｌｔｉ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅｆｕｒｎａｃｅｓａｒｅ ｓｔｕｄｉｅｄ ｂｙｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｅｌｄｉｎａｓｍｅｌｔｉｎｇｆｕｒｎａｃｅｆｏｒｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅ．Ｘｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎｉｓｕｓｅｄ ｔｏ ｍａｋｅｐｈａｓｅ ａｎａｌｙｓｉｓａｎｄ ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ ｔｈｅｐｒｏｄｕｃｔｓｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ ａｔ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ａｒｅａｓｉｎｔｈｅ ｓｉｎｇｌｅ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ ａｎｄ ｍｕｌｔｉ⁃ ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ ｆｕｒｎａｃｅｓ． Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｉｎ ｔｈｅ ｍｕｌｔｉ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ ｆｕｒｎａｃｅ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆｉｅｌｄ ｈａｓ ｂｅｔｔｅｒ ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒｅｇｉｏｎ ｆｉｔ ｆｏｒ ＳｉＣ ｇｒｏｗｔｈ ｉｓ ｗｉｄｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｉｎ ｔｈｅ ｓｉｎｇｌｅ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ ｆｕｒｎａｃｅ． Ｎｏ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｚｏｎｅ ｅｘｉｓｔｓ ｉｎ ｔｈｅ ｍｕｌｔｉ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ ｆｕｒｎａｃｅ，ｉｎｄｉｃａｔｉｎｇ ｍｏｒｅ ｓｔｅａｄｙ ａｎｄ ｓａｆｅｒ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ；ｍｕｌｔｉ⁃ｈｅａｔ⁃ｓｏｕｒｃｅ；ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆｉｅｌｄ；ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ；ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ 　 　 碳化硅（ＳｉＣ）以其优良的性能广泛应用于冶金、 所在。 －