基于PIN二极管的大功率、超宽带、高隔离度微波多掷开关研究-电子与通信工程专业论文.docxVIP

基于PIN二极管的大功率、超宽带、高隔离度微波多掷开关研究-电子与通信工程专业论文.docx

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万方数据 万方数据 摘 要 注 1:注明《国际十进分类法 UDC》的类号 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名: 日 期: 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名: 导师签名: 日 期: 年 月 日 摘 要 摘 要 在微波通信系统中,PIN 开关是一种主流的微波半导体控制器件,受装配工艺 的限制,承受功率大、隔离度高以及超宽的工作频带是开关电路设计的主要方向。 是否能够对 PIN 开关的电路建立准确的仿真模型是开关设计的关键,而要实现准 确仿真就必须对影响开关电路性能的串联谐振、耦合等因素进行准确分析。 论文简要介绍了 PIN 二极管和开关的基本理论,并对开关电路中存在的各种 非线性因素进行分析,同时提出了在开关电路中抑制这些因素的方法。随后,对 电路模型采取二、三维联合仿真的方法,详细的介绍了利用 ADS、HFSS 等仿真 软件对宽频带开关电路进行仿真优化的设计流程。并根据所建电路模型,实现了 一种高功率、超宽带、高隔离度 SP4T PIN 开关,开关实测结果表明:在 4-18GHz 工作频带内插损≤3dB,隔离度>70dB,驻波<1.8,开关延迟时间≤120nS,指标达到 论文要求。文中将详细描述开关的组装测试过程,给出实际测试结果。论文中还 将以 SP4T PIN 开关为例简要介绍两种不同组成结构的 4×4 开关矩阵及其应用。 关键词:PIN 开关,超宽带,高隔离度 Ⅰ Abstract Abstract In radar, communication and other microwave system, the control of signal transmission is usually neede. PIN switch is a major microwave semiconductor control component, be confined to the assemblings technics,the high power, broadband and high isolation are the design difficulties lie. The veracity of the emulation is up to accurate analyse of these factors as series resonance and channel inter-coupling,which affect the capability of the switch circuit. This thesis introduces the basic theory of PIN diode and switch in brief and proposes a simplified simulation circuit model after analyzing a few causes which affect the specification of PIN switches. Then taking the method of 2 Dimension,3 Dimension hybrid simulation the thesis introduces the design process of simulation and optimization on the broadband switch circuit employing the ADS, HFSS. Based on the circuit model, a SP4T PIN switch with high power, broadband and high isolation is realized. The measuring results show that insertion loss is less than 3dB within the working frequent 4-18GHz

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