半导体二极管和三极管 1.pptVIP

例1－3 设硅稳压管DZ1、 DZ2的稳定电压分别为5V、10V，又已知DZ1、 DZ2正向压降为0.7V，求V0 解：(a) DZ1、 DZ2工作在反向击穿区 ? V0 = 5 +10 =15V (b) DZ1、 DZ2工作在正向导通区 ? V0 = 0.7 + 0.7 =1.4V DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (a) DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (b) 图1－16 §1.4 半导体三极管 一、三极管结构 图1－17 3AX22 低频锗 3AD6 低频大功率管 3DG6 高频硅 图1－18 b e c N 集电区 N 发射区 P 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 三区两结三极 下图是NPN管的结构及符号 图1－19 b e c P 集电区 P 发射区 N 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 PNP管的结构及符号如下： 符号中的箭头表示三极管导通时的电流方向 二、三极管的电流分配与放大原理 放大的条件： 内部条件： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件： 发射结正偏； 集电结反偏。 N N P Je Jc V0?VEE V0+VCC 1. 三极管内部载流子的传输 图1－20 b V