半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

* 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 半导体的杂质敏感性 半导体电子、空穴共同参与导电，可否调制？P-N结，晶体管 §2.1 掺 杂 晶 体 理想半导体材料 原子静止在具有严格周期性晶格的格点位置上 晶体是纯净的，即不含杂质 (没有与组成晶体材料的元素不同的其它化学元素) 晶格结构是完整的，即具有严格的周期性 实际半导体材料 原子在平衡位置附近振动 含有杂质； 晶格结构不完整，存在缺陷 点缺陷，线缺陷，面缺陷 杂质和缺陷的影响 使周期性势场受到破坏，有可能在禁带中引入能级，从而对半导体的性质产生影响 影响半导体器件的质量（如性能等） 对半导体材料的物理性质和化学性质起决定性的影响（如提高导电率） 本章目的：介绍杂质和缺陷的基本概念 105硅原子中掺1个硼原子，则比单纯硅晶的电导率增加了103倍 杂质 与组成晶体材料的元素不同的其他化学元素 形成原因 原材料纯度不够 制作过程中有玷污 人为的掺入 金刚石结构中，密堆积时，原子占晶格体积比？ 8个原子，r=? 占体积比？ ～34% 分类(1)：按杂质原子在晶格中所处位置分 间隙式杂质 替位式杂质 杂质原子位于晶格原子的间隙位置 要求杂质原子比较小 杂质原子取代晶格原子而位于格点处 要求杂质原子的大小、价电子壳层结构等均与晶格原子相近 两种类型的杂质可以同时存在 这里主要介绍替位式杂质 分类(2)：按杂质所提供