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* 第四章 习题 2.假设把一个Na原子从Na晶体中移到表面上所需的能量为1 eV,计算室温时肖特基缺陷相对浓度. 对于肖特基缺陷,在单原子晶体中空位数为 [解答] 式中N为原子数,u1为将一个原子由晶体内的格点移到表面所需的能量. 取空温时T=300K,得室温时肖特基缺陷的相对浓度 5.在离子晶体中,由于电中性的要求、肖特基缺陷都成对地产生,令n代表正负离子空位的对数.E是形成一对肖特基缺陷所需要的能量,N为整个离子晶体中正负离子对的数目,证明 由N个正离子中取出n个正离子形成n个空位的可能方式数为 [解答] 同样,由N个负离子中取出n个负离子形成n个空位的可能方式数也为 因此,在晶体中形成n对正负离子空位的可能方式数为 与无空位时相比,晶体熵的增量为 若不考虑空位的出现对离子振动的影响,晶体的自由能 其中F0是只与晶体体积有关的自由能.利用平衡条件 及斯特林公式 得: 由此得 由于Nn,因此得 8.对下列晶体结构,指出最密原子排列的晶列方向,并求出最小滑移间距. (1) 体心立方; (2) 面心立方. (1) 体心立方晶系原胞坐标系中的晶面族(h1h2h3)的面间距 [解答] 可以看出,面间距最大的晶面族是{001}.将 该晶面指数代入《固体物理教程》1.32式(p. 30),得到该晶面族对应的密勒指数为{110}. 面间距最大的晶面上格点最密,所以密勒指数{110}晶面族是格点最密的面.面间距大的晶面间的结合力小,所以格点最密的面便是滑移面. 最密的线一定分布在格点最密面上.由图虚线标出的(110)晶面容易算出,最密的线上格点的周期为 具有简单晶格的晶体滑移时,是一个晶格周期一 个晶格周期的一步步滑移.因此,最小滑移间距 为 (2) 面心立方晶系原胞坐标系中的晶面族(h1h2h3) 的面间距 可以看出,面间距最大的晶面族是{111}。 由第一章第15题可知,对于面心立方晶体,晶面指数(h1h2h3)与晶面指数(hkl)的转换关系为 将晶面指数{111}代入上式,得到该晶面族对应的密勒指数也为{111}.面间距最大的晶面上的格点最密,所以,密勒指数{111}晶面族是格点最密的面,即{111}面族是滑移面. 格点最密的线一定分布在格点最密的面上.由图虚线标出的(111)晶面上的格点容易算出,最密的线上格点的周期为 具有简单晶格的晶体滑移时,是一个晶格周期一个晶格周期一步步滑移.因此,最小滑移间距为 10. 有一简单晶格的晶体,原子在间隙位置上的能量比在格点上高出1eV,试求有千分之一的原子变成间隙原子时的温度。 将间隙位置数、格点数及原子数三者视为近似相等,并设为N。在N个格点中形成n个空位的可能方式数为 [求解] n个填隙原子在N个间隙位置上排列可能方式数为 同时形成n个空位和n个填隙原子的可能方式数为 导致的晶体的熵的增加量为 晶体的自由能 式中F0是只与晶体体积有关的自由能,u表示原子位于间隙位置比在正常格点处高出的能量。利用平衡条件 及斯特林公式 得 13. 对单原子晶体,在通常温度下,肖特基缺陷数目与最邻近原子的振动频率的改变有关,试用爱因斯坦模型,证明平衡时肖特基缺陷数目 并讨论T?E和T?E的极限情况,其中u1是肖特基形成能,m是空位的最近邻原子数,?和?为最近邻无空位和有空位时原子的振动频率。 设含有N个原子的简单晶体中,存在n个空位,当原子振动频率不变时,晶体的自由能为 [求解] 按照爱因斯坦模型,有空位缺陷时晶体原子的振动对自由能的贡献为(p. 141)
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