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大功率IGBT击穿故障研究和驱动保护电路设计 ：该文通过对IGBT组成的H桥在大功率高速 开关条件下进行大量实验，列举了 IGBT发生击穿故障的多 种原因，结合IGBT器件的结构分析其击穿过程及击穿表现, 并通过计算提出了 一种输出波形稳定的IGBT驱动电路以及 相应的保护电路。 关键词：击穿驱动保护 中图分类号：0 453文献标识码：A文章编号:1674-098X (2012) 12 (b) -00-02 目前，大功率电源技术的发展向着小型、高频方向迈进, 其功率开关部分多采用IGBT来实现，但是由于功率的增大、 开关频率的增高及设备体积的减小，使得IGBT发生击穿甚 至炸管的故障率显著增加，该文通过使IGBT工作在500 V/10 KHz条件下进行的各项试验，对不同原因导致的击穿现象进 行分析总结，论述了不同情况下击穿的根本原因及表现形 式，提出了一种IGBT驱动保护电路，经实际验证，此电路 运行稳定，保护动作快速有效。 IGBT是由BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效 应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有 载流密度大，开关速率快，驱动功率小而饱和压降低的优点。 非常适合应用于直流电压为600 V及以上的大功率逆变系 统，在工业领域有着广泛的应用。 1击穿原因分析 由于该器件经常应用于大功率及开关速率快的场合，因 此发生击穿甚至炸管的几率非常高，究其根本击穿原因有以 下三点：过压击穿、过流击穿、过温击穿。 1过压击穿 引起过压击穿的原因有很多，比如负载、线路、元器件 的分布电感的存在，导致IGBT在由导通状态关断时，电流 Ic突然变小，将在IGBT的c、e两端产生很高的浪涌尖峰电 压Uce=LXdic/dt,此电压若大于IGBT的耐压值，则会击穿 IGBT；另外，静电、负载变化、电网的波动、驱动电路失效 开路以及外部电磁干扰都可能引起电压击穿。 过压击穿分为两个步骤：(1) IGBT的雪崩击穿；(2) IGBT 短路。 第一步：雪崩击穿，当IGBT的栅极电压为零或负时， 处于正向阻断状态，此时若IGBT承受外部阻断电压较高， 耗尽层的电场强度随电压升高而升高，就会在耗尽层产生大 量的电子和空穴，当电场强度超过临界值时，外部阻断电压 会使中性区边界漂移进来的载流子加速获得很高的动能，这 些高能载流子在空间电荷区与点阵原子碰撞时使之电离，产 生新的电子-空穴对。新生的电子-空穴对立即被强电场分开 并沿相反方向加速，进而获得足够动能使另外的点阵原子电 离，产生更多的电子-空穴对，载流子在空间电荷区倍增下 去，反向电流迅速增大，发生雪崩击穿，直至PN结损坏。 这个使得PN结电场增强到临界值的外部电压称为IGBT的雪 崩击穿电压。 第二步：IGBT短路，IGBT的雪崩击穿是一个可逆过程, 不会立即导致IGBT损坏，此过程如果通过增加吸收回路等 方法使过压时间控制在10个电压脉冲周期以内，IGBT不会 表现为不可逆的击穿状态，但如果吸收回路没能在短时间内 吸收浪涌电压，那么IGBT则会表现为集电极发射极短路状 态（静电击穿门级表现为门级发射极短路），此状态不可逆。 1.2过流击穿 导致IGBT过流击穿的原因多为负载短路、负载对地短 路，此外，由于驱动电路故障、外界干扰等造成的逆变桥桥 臂不正确导通也是过流击穿的一大原因。 IGBT有一定抗过电流能力，但时间要控制在10 us以内。 IGBT内部有一个寄生晶闸管，所以有擎住效应。在规定的 发射极电流范围内，NPN的正偏压不足以使其导通，当发射 极电流大到一定程度时，这个正偏压会使NPN晶体管开通， 进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态，导致寄生晶闸管 开通，此时门极会失去控制作用，便发生了擎住效应，IGBT 发生擎住效应后，发射极电流过大造成了过高的功耗，最后 导致器件的损坏。过流击穿多表现为可见性炸管。 3过温击穿 IGBT的最大工作温度一般为175 °C,但实际应用中结 温的最髙温度要控制在150 °C以下，一般最好不要超过 130 °C,否则高温会引起外部器件热疲劳以及IGBT稳定性 变差，经过实际验证IGBT长时间工作在40 ￡左右为宜。 发生过温击穿的主要原因为散热设计不完善，电路设计 原因为死区时间设置过短、控制信号受干扰导致的逆变桥臂 瞬时短路、负载阻抗不匹配、驱动电压不足、IGET器件选型 错误导致的和设计开关频率不匹配等。 过温失效主要表现在以下几个方面：栅门槛电压VGE增 大；CE动态压降VCE增大；动态导通时间增大，关断时间减 小；开关损耗增大。 2驱动保护电路设计 1驱动电路设计思路 以K40T120 (1200 V/40 A)型IGBT为例进行驱动电路 设计： 1. 1确定门级电电容及驱动电压：用Cin=5 Ciss进 行计算