光电子学p-n型光电二极管课件.pptxVIP

7.3 P-N 型光电二极管 理学院 1. P-N型光电二极管 半导体光电探测器和半导体光源是功能相反的器件，探测器将输入光子通量转换成电流，半导体光源则相反。但是，制作这两种器件经常用到相同的材料。探测器的工作指标与光源也有相对应的部分。 光电二极管探测器的工作依赖于光生电荷载流子。光电二极管是当吸收光子时反向电流会增加的P-N结。 假设光子在每处都以吸收系数α得到吸收，每当一个光子被吸收，一个电子-空穴对就会产生。但是只有当电场存在时，载流子才会定向输运。由于p-n结只有在耗散层建立电场，所以这是产生光生载流子的理想区域。 图7-3- 1 光子照射到理想的反向偏置p-n结光电二极管探测器 然而，电子-空穴对的产生有三个可能区域。 图 7-3-1 光子照射到理想的反向偏置p-n结光电二极管探测器 在耗尽层（区域1）产生的电子和空穴在强电场影响下向相反的方向漂移。结果是，外电路中的光生电流通常是相反方向（从n到p）因为在耗尽层不发生复合，每对载流子在外电路产生一个面积为e的电流脉冲。 远离耗尽层（区域3）产生的电子和空穴由于缺少电场而不能被运输，它们随机运动直到复合湮灭，对外层电路电流没有贡献。 在耗尽层外但是在它附近（区域2）产生的电子-空穴对，因为有随机扩散而进入耗尽层的可能性，从p侧扩散来的电子被快速运输并穿过结区，因此对外电路贡献了一个电荷e。从n侧扩散来的空穴有相同的作用。 那么，什么样的材料可以用来制作光电二极管？ 光电二极管的主要性质 注意：这些性能参数适用于所有半导体电光探测器。 量子效应 响应度 响应时间 目前制作光电二极管的材料主要有元素半导体Si、Ge及化合物半导体GaAs、InAs、InSb、InS、InGaAs、InGaAsP、PbSnTe、PbSnSe、HgCdTe等。 1. 1 量子效率 量子效率：光电探测器的量子效率η （0 η 1)定义为入射到器件的单个光子产生对探测器电流有贡献的光生载流子对的概率。 图7-3-2 量子效率n的吸收效果 首先，吸收过程本身具有一定的概率性。 其次，一些光子可能会在探测器的表面被反射，从而降低了量子效率。 再次，一些探测器表面产生的电子-空穴对很快又复合了，它们不能对探测器电流有所贡献。 最后，如果光不是正确地聚焦在探测器的有效部分，一些光子会丢失。但是，这个作用没有包含在量子效率的定义中，这是因为它与器件的使用有关而与器件的固有性质无关。 因此量子效率可以写成： 这里 是表面的光能量反射系数， 是电子-空穴对成功的产生探测器电流的部分， α是材料吸收系数（cm-1 ),d是光电探测器有效吸收区的深度。 应当说明的是一些量子效率的定义没有包括表面反射的因子，那么这就需要另外单独考虑 η 与波长的关系。 第一个因子1- 代表器件表面的反射效应。用增透膜可以降低反射作用。 第二个因子 是材料表面成功避免复合的电子-空穴对部分，它们对产生有效电流有贡献。表面复合可以通过优化的材料生长来降低。 第三个因子1-exp（- αd），代表材料中吸收的光子通量，器件需要一个足够到的d值使得这个因子最大化。 量子效率是波长的函数，主要是因为系数α与波长有关。 对于一些光电探测器材料， η在由材料特性决定的光谱窗内是很大的。对于足够大的λo, η却会变小。这是因为当： 时吸收不会发生（因为此时光子能量不足以克服带隙能量）。其中λg为半导体材料的长波长极限。 1.2 响应度 响应度将器件内的电流和入射光能量联系起来。如果每个光子能产生一个光电子，光子通量（每秒的光子数)会产生电子通量，对应短路电流ip=e。频率为ν的光功率P=hv将会产生电流ip=eP/(hv).因为产生被探测的光电子的光子比例为η而不是1，因此电流是 （7.3.2） 电流和光能量之间的比例因子R，被定义为器件的响应度R。R=ip/P的单位为A/W,其表达式为 (7.3.3） 如果对探测器施加一个过大的光能量，响应度会下降。这种情况称为探测器饱和，限制了探测器的线性工作区。 为了获得响应度数量级的概念，可以将式（7.3.3）中的η设为1，于是当λ0为1.24 μm时R=1A/W,也就是1nW对应1nA.对于给定的值响应度随波长的线性增加如图7-3-3所示 图7-3-3 量子效率n为参数的响应度R（A/W）与波长λ o的关系 1.3 响应时间 有人可能会倾向于认为光子激发光电探测器材料的一个电子-空穴对时，外电路中产生电荷应该为