事业废水铟、钼.pptVIP

台灣高科技產業的新希望南部科學工業園區 95.07.17 101 年 5 月 行政院國家科學委員會 南科園區事業廢水特定成分 銦、鉬、鎵特性研究暨因應策略研訂 100年度自行研究計畫 研究人員：郭本正、郭崇文 簡報大綱 壹、計畫緣起及目的 貳、園區產業廢水特性 參、研究內容與設備 肆、結果與討論 伍、結論與建議 * 壹、計畫緣起及目的 計畫緣起 科學園區光電產業及半導體產業快速發展，相關原物料及化學品眾多複雜，相關排放廢水特定成份對環境可能衝擊影響，應管制減量。 環保署基於污染預防及風險管理，推動放流水新增管制標準，增加銦、鉬、鎵等三項新興產業特殊重金屬管制，需研究因應。 現有產業調查指出光電產業排水含有銦、鉬、鎵成分，需進行園區銦、鉬、鎵來源調查及特性研究，掌握污染來源及研擬管制策略。 * 計畫目的 建構園區產業銦、鉬、鎵貢獻度分佈，並提供試驗結果給園區廠商參考，協助廠商選擇最佳化操作方案來進行銦、鉬、鎵減量處理。 探討污水廠現有銦、鉬、鎵處理單元(化學混凝沉澱系統)最佳操作條件，以供建立污水廠緊急應變機制。 研擬園區銦、鉬、鎵管制策略，最終達到確保污水廠放流水質符合標準目的並減輕環境水體負荷。 * 壹、計畫緣起及目的 貳、園區產業廢水特性 產業別 製程 含銦、鉬、鎵原物料 廢水特性 TFT-LCD Array(微影光罩)製程(包括濺鍍薄膜、光阻塗佈、顯影、蝕刻及剝離等五道步驟) 1.氧化銦錫(ITO)靶材 2.鉬靶材 3.氧化銦錫(ITO)蝕刻液 蝕刻製程產生低濃度含銦、鉬廢水混合其他廢水排放 含銦、鉬廢水採批次方式排放，濃度變化較大 LED 磊晶及蝕刻製程 1.砷化鎵基板 2.三甲基鎵、三乙基鎵 3.三甲基銦 磊晶及蝕刻製程之局部高濃度含鎵、銦廢水混合其他廢水排放 蝕刻及洗滌塔之低濃度含鎵、銦廢水混合其他廢水排放 含鎵、銦廢水採批次方式排放，濃度變化較大 園區含銦、鉬、鎵產業製程廢水特性分析 TFT-LCD產業製程使用含銦、鉬原物料，排放水質銦、鉬濃度較高 LED產業製程使用含鎵、銦原物料，排放水質鎵、銦濃度較高 半導體產業排放水質亦含有低濃度之銦、鉬、鎵 * 污水廠進流廢水化學混凝沉降去除銦、鉬、鎵試驗 調整不同pH值 (pH：6、7、8、9) 鋁鹽 (PAC) 鐵鹽 (氯化鐵) 調整不同pH值 (pH：6、7、8、9) 調整加藥劑量 調整加藥劑量 最佳化操作參數 (pH、混凝劑種類及加藥量) ▲污水廠進流廢水化學沉降實驗流程 園區事業廢水化學混凝沉降 去除銦、鉬、鎵試驗 鋁鹽 PAC(10%Al2O3) LED廢水 (含鎵廢水) TFT-LCD廢水 (含鉬廢水) 調整加藥劑量 最佳化學混凝加藥量 鐵鹽 氯化鐵(39%Fe2O3) 調整pH值 (pH：6、7、8) ▲園區事業廢水化學沉降實驗流程 參、研究方法及實驗設備 * 研究方法 研訂南科園區對事業排水之銦、鉬、鎵因應方案及緊急應變策略 建立南科園區事業排水銦、鉬、鎵管理機制，維持園區污水廠正常穩定操作 序號 實驗設備 廠牌與規格 設定條件 1 瓶杯試驗 (1)廠牌：PHIPPS BIRD (2)型號：PB-700 (3)規格：攪拌葉片長7.5cm、寬2.5cm，轉速介於5-300rpm之間 100rpm下快混5分鐘，30rpm下慢混20分鐘及靜置30分鐘 2 pH計 (1)廠牌：WTW (2)型號：330i 以完成校正之pH計進行pH量測 3 感應耦合電漿原子發射光譜儀(ICP-AES) (1)廠牌：JY (2)型號：ULTIMA 2000 (3)規格：光學架構：焦距0.64米 聚光鏡片10*8公分 2400條刻劃數/毫米之雙極光光柵 ※光譜範圍從120至800nm ※電漿觀測位置:側向觀測電漿 銦設定波長：230.606nm 鉬設定波長：202.032nm 鎵設定波長：294.363nm ▲瓶杯試驗器 ▲感應耦合電漿原子發射光譜 參、研究方法及實驗設備 * 實驗設備 園區各產業銦、鉬、鎵濃度及貢獻度 * 項目 半導體 TFT-LCD LED 水量(CMD) 25,458 32,995 2,228 銦 濃度範圍(mg/L) N.D.~0.039 N.D.~0.183 N.D.~0.167 貢獻度(％) 17.9％ 78.3％ 3.8％ 鉬 濃度範圍(mg/L) N.D.~0.012 0.084~1.91 N.D.~0.062 貢獻度(％) 0.45％ 99.5％ 0.05％ 鎵 濃度範圍(mg/L) N.D.~0.011 N.D.~0.055 0.004~2.26 貢獻度(％) 9.0％ 37.8％ 53.2％ ▲園區各產業銦貢獻比例圖 ▲園區各產業鉬貢獻比例圖 ▲園區各產業鎵貢獻比例圖 肆、結果與討論 肆、結果與討論 廠商排放特性分