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第 卷 第 期 液晶与显示
３０ ４
Vol．３０ No．４
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１５ ８ Au．２０１５
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文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１５０４Ｇ０６１６Ｇ０５
各膜层对光刻胶灰化的影响
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白金超 张光明 郭总杰 郑云友 袁剑峰 邵喜斌
( , )
北京京东方显示技术有限公司 北京 １００１７６
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摘要 研究各膜层对灰化速率的影响 增强对灰化工艺的了解 为四次光刻工艺改善提供参考 采用探针台阶仪测量在
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相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量 对结果进行机理分析和讨论 实验结果表明 有源层会降低
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灰化速率 源 漏金属层可以增大灰化速率 栅极金属层对灰化速率无影响 对于正常膜层结构的阵列基板 源 漏层图
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形密度越大 灰化速率越小 图形密度每增大 １％ 灰化速率下降 １４nm min 有源层和源 漏金属层对灰化等离子体产
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生影响 从而影响灰化速率
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关 键 词 薄膜晶体管阵列工艺 四次光刻 光刻胶 灰化
中图分类号: 文献标识码: : /
TN１４１．９ A doi１０．３７８８YJYX０６１６
Effectoffilmlaeron hotoresistashin
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