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第二讲激光晶体;;The beginning;Nd:YAG晶体 1064nm, 1340nm;Activated ion + Matrix crystal Matrix crystal :Sapphire(Al2O3)Garnet(YAG)、 Yttrium Vanadate (YVO4)… Activated ion : Rare earth(Nd3+, Er3+, Yb3+,…) Transition metal(Cr3+, Ti3+,Ni3+,…);激光晶体亟待解决的若干关键科学问题 ;人工晶体生长方法;熔体法;1）同成分熔化化合物的二元相图;2）生长的晶体与熔体成分不同（二元或多元体系） 掺杂的元素或化合物 非同成分熔化的化合物 熔点随成分变化，得到均匀单晶较困难； 有时出现共晶或包晶反应,使单晶生长受到破坏。;具有以下特点的材料不能用熔体法生长： 1、材料在熔化前分解（KTP）； 2、熔点太高以至在实验上不能实现； 3、晶体生长和降温过程中发生有害的相变。;;4）气氛控制系统 ?不同晶体常需要在各种不同的气氛里进行生长。如钇铝榴石和刚玉晶体需要在氩气气氛中进行生长。该系统由真空装置和充气装置组成。 5）后加热器 后热器可用高熔点氧化物如氧化铝、 陶瓷或多层金属反射器如钼片、铂片等制成。 通常放在坩埚的上部，生长的晶体逐渐进入后热器，生长完毕后就在后热器中冷却至室温。 后热器的主要作用是调节晶体和熔体之间的温度梯度，控制晶体的直径，避免组分过冷现象引起晶体破裂。;结晶界面宏观及微观形貌是决定结晶质量的关键;1）生长设备和原料 生长设备的要求：机械装置具有均匀的转动和移动性能，才能使晶体生长具有稳定的生长界面和生长速率。 在晶体生长过程中需要保持界面的温度稳定性，也要求温度的控制精度较高，因此较为先进的控制设备也是生长优质晶体所必需的。如目前提拉法生长晶体用的是欧陆（EUROTHERM) 控温系统。 原料：所使用的原料的纯度要高（4N）;3）温场 温场设计是得到优质晶体的基础。合适的温场是根据晶体的性能和生长习性来确定的。 4）籽晶 选用高质量的籽晶是减少位错等缺陷继承到生长晶体中十分重要的。籽晶本身有许多缺陷在生长晶体一般采用缩颈工艺减少缺陷的产生。 选取适当方向籽晶是获得完整晶体十分重要的手段。因为不同结晶学取向生长的晶??，其结晶完整性有可能是不同的，如用Y方向的Nd:YCOB籽晶生长Nd:YCOB晶体，就容易得到高质量完整性单晶，而用其它方向的籽晶生长晶体，得到的晶体易出现开裂和散射颗粒等缺陷。 ;优点： 便于精密控制生长条件，可以较快速度获得优质大单晶； 可以使用定向籽晶，选择不同取向的籽晶可以得到不同取向的单晶体； 可以方便地采用“回熔”和“缩颈”工艺，以降低晶体中的位错密度，提高晶体的完整性； 可以在晶体生长过程中直接观察生长情况，为控制晶体外形提供了有利条件;思考题;谢谢大家！ jywang@sdu.edu.cn