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第二章 磁敏传感器 9、 不等位电势U0与不等位电阻r0：不等位电势又称零位电势。当控制磁感应强度为零(B=0)、激励电流为额定值I、霍尔电极间空载时(RL=∞)，仍存在霍尔电势U0。 产生的主要原因是制造工艺不可能保证两霍尔电极完全对称地焊接在等电位面上。一般要求UO1mV。必要时应予以补偿。电阻r0是不等位电势U0与激励电流I 之比。不等位电势及不等位电阻都是在直流下测得的。 11、 工作温度范围： 当元件温度过高或过低时，电子浓度将随之大幅度变大或变小，使元件不能正常工作。锑化铟的正常工作温度范围是0~+40 ℃，锗为-40~+75 ℃，硅为－60～＋150 ℃，砷化镓为－60～＋200 ℃。 （五）不等位电势和温度误差的补偿 不等位电势U0与霍尔电势UH具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势。实用中要消除U0是极其困难的，必须采用补偿的方法。 霍尔元件等效电路：电桥电路，因此可用分析电桥平衡的方法来补偿不等位电势。 2. 温度误差及其补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此其许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时，霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化，从而使霍尔元件产生温度误差。 为了减小霍尔元件的温度误差，除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外，由UH=KHIB可看出：采用恒流源（电流温度系数极小）供电是个有效措施，可以在一定程度上使霍尔电势稳定。但也只能减小输入电阻随温度变化时引起的激励电流 I 变化的影响。 温度补偿方法： ①大多数霍尔元件的温度系数? 是正值，霍尔电势随温度升高而增加(???T)倍。如果同时让激励电流Ⅰs相应地减小，并能保持(KH? Ⅰs )乘积不变，就可以抵消KH随温度增加的影响。 ②或直接使得输出UH减小。 S N 磁铁 磁力集中器 传感器 带有磁力集中器的移动激励方式示意图 磁感应强度B/T 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 2.5 5 7.5 10 磁铁与中心线的距离L2/mm B-L2曲线的对比图 (a)加磁力集中器的移动激励方式 ④激励磁场应用实例 (b)推拉式 两个磁铁的S极都面对传感器，这样可以得到如图所示的较为线性的特性。 N S S N 传感器 图2.6-20 推拉式激励磁场示意图 图2.6-21 推拉式L1-B关系曲线 距离L1/mm B/T 0.05 -0.05 0 -10 -5 0 5 10 15 -15 注意：磁铁S极作用于传感器背面，会抵消传感器正面磁铁S极的激励作用。 (c)双磁铁滑近式 为激励传感器开关的接通，往往把磁铁的S极对着传感器正面，如果在传感器的背面也设置一磁铁，使它的N极对着传感器的背面，就会获得大得多的磁场。 传感器 滑近 S N N S 图2.6-22 双磁铁滑近式结构示意图 (d)翼片遮挡式 翼片遮挡方法就是把铁片放到磁铁与传感器之间，使磁力线被分流、傍路，遮挡磁场对传感器激励。当磁铁和传感器之间无遮挡时，传感器被磁铁激励而导通；当翼片转动到磁铁和传感器之间时，传感器被关断。 图2.6-23 翼片遮挡器的形状 片状 筒状 霍耳开关集成传感器的应用领域：点火系统、保安系统、转速、里程测定、机械设备的限位开关、按钮开关、电流的测定与控制、位置及角度的检测等等 (e) 偏磁式 在传感器背面放置固定的磁铁加入偏磁，就可以改变传感器的工作点或释放点。例如。将磁铁的N极粘附在传感器的背面，则传感器在正常情况下处于导通状态，必须在它的正面施加更强的负磁场，才能使它关断。 4.霍耳开关集成传感器的应用领域 1．霍耳线性集成传感器的结构及工作原理 霍耳线性集成传感器的输出电压与外加磁场成线性比例关系。这类传感器一般由霍耳元件和放大器组成，当外加磁场时,霍耳元件产生与磁场成线性比例变化的霍耳电压,经放大器放大后输出。在实际电路设计中，为了提高传感器的性能，往往在电路中设置稳压、电流放大输出级、失调调整和线性度调整等电路。霍耳开关集成传感器的输出有低电平或高电平两种状态，而霍耳线性集成传感器的输出却是对外加磁场的线性感应。因此霍耳线性集成传感器广泛用于位置、力、重量、厚度、速度、磁场、电流等的测量或控制。霍耳线性集成传感器有单端输出和双端输出两种，其电路结构如下图。 （六）霍耳线性集成传感器 单端输出传感器的电路结构框图 2 3 输出 + － 稳压 VCC 1 霍耳元件 放大 地 H 稳压 H 3