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集成电路工艺技术讲座第十讲 CMOS集成电路 工艺技术 内容 （一）CMOS工艺概述 （二）2um P阱硅栅CMOS IC工艺流程 （三）先进CMOS IC工艺 （四）BiCMOS （五）功率MOSFET （六）BCD （一）CMOS工艺概述 MOSFET的开启电压 CMOS倒相器 CMOS结构中的阱 LOCOS技术 MOSFET基本方程 线性区和饱和区 VD很小时 VD (VG- Vt） ID＝ （Z/L） ?Co{(VG- Vt） VD 其中 Vt= ? 2?qNa（2 ?B ）/Co ＋ 2 ?B VD增加到夹断点时 IDsat＝ （Z/2L） ?Co{(VG- Vt）2 MOSFET种类 N沟道增强型1 N沟道耗尽型2 P沟道增强型3 P沟道耗尽型4 阈值电压控制 Vt＝VFB＋ 2 ?B ＋ ? 2?qNa（2 ?B ＋VBS）/Co 衬底或沟道区掺杂 栅极材料 氧化层电荷（钠离子沾污） 氧化层厚度 衬底偏压 阈值电压控制 场区寄生MOSFET的开启电压 CMOS倒相器基本结构 CMOS结构中的阱 阱的掺杂浓度比衬底高几个数量级，所以衬底浓度不确定性不影响阱浓度。 三类阱：P阱，N阱，双阱 阱浓度决定源漏穿通 阱深度Xjw Xjs+W1+W2 CMOS结构中的阱 LOCOS技术 LOCOS技术 基底氧化 1050℃ 50