- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
未经本论文作者的书面授权,依法收存和保管本论文书面版本、
电子版本的任何单位和个人,均不得对本论文的全部或部分内容进行
任何形式的复制、修改、发行、出租、改编等有碍作者著作权的商业
性使用(但纯学术性使用不在此限)。否则,应承担侵权的法律责任。
磁控溅射及真空蒸镀制备的纳米氧化锌薄膜光电性质研究/马剑钢
摘 要
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为
3,37eV,激子束缚能高达60meV。自1997年首次在ZnO多晶薄膜上实现了室
温光泵浦紫外激光以来,有关ZnO材料的研究已经成为光电领域国际前沿课题
中的热点之一。针对当前ZnO的研究工作的热点问题,本论文主要对氮掺杂ZnO
多晶薄膜材料的光电性质和镶嵌在绝缘基质当中的纳米ZnO颗粒的结构和光学
性质进行了研究,具体研究内容如下:
(1)利用磁控溅射及后退火的方法制各出氮掺杂的ZnO薄膜材料,通过多
种表征手段研究了氮的掺入对ZnO薄膜微结构、紫外发光和电学特性的影响。
观察到由氮引起的局域拉曼振动模,以及束缚在中性受主上的激子的发光表明利
用这种方法能够实现对ZnO的有效氮掺杂,并可以通过改变退火温度的方法调
节znO:N薄膜中氮杂质的含量。
(2)通过共溅射的方法,制备了包埋有ZnO纳米颗粒的Si02薄膜材料。
颗粒中的应力释放以及缺陷态密度的降低,从而提高了ZnO纳米颗粒的近带边
紫外发光的效率。
(3)利用共蒸发及后退火的方法制备了MgO包埋的ZnO纳米颗粒材料。
的载流子起到限制作用,并且部分钝化了ZnO纳米颗粒的表面缺陷。主要表现
为ZnO纳米颗粒材料的带隙宽度随退火温度升高逐渐增大,紫外发光峰蓝移并
且强度逐渐增强,而缺陷发光明显减弱。
关键词: ZnO:N,磁控溅射,共蒸发,ZnO纳米颗粒,光致发光
摘要/2004年
Abstract
all wide
Zinc II-V1 band
oxide(ZnO)isimportant eV)
gap(Eg=3.37
witha
semiconductor exciton of60meV.Since
relativelyhigh bindingenergy the
realizationofstimulatedofZnO
emission filmsat
room
multicrystal temperatureby
in1 on
ZnOanditsrelatedmaterialshave
optical 997,researches become
pumping
oneofthemost attractive
and inthe this
promising aspectsoptoelectronicregion.In
the and
thesis,we electrical of ZnOthin
原创力文档


文档评论(0)