氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响＊.PDF

· · ： （ ） 材料导报 研究篇 年 月 下 第 卷第 期 １５２ Ｂ ２０１５ ９ ２９ ９ 　 　 氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响＊ 来 ， ， ， 国红 余志强 张昌华 廖红华 （ ， 施 ） 湖北民族学院电气工程系 恩 ４ ４５０００ ， 摘要 基于密度泛函理论的第一性原理计算 研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影 　 　 。 ， ， 。单层二硫化钼的价带顶主要由 态 响 结果表明 单层二硫化钼属于直接带隙半导体 其带隙宽度为 ．６４ｅＶ Ｓ３ １ － ｐ ， ； ， 电子和 Ｍ 态电子构成 而其导带底则主要由Ｍ 态电子和Ｓ 态电子共同决定 同时通过氧和硒掺杂 使单 ｏ ｄ ｏ ｄ －４ －４ －３ ｐ ， ， 。 层二硫化钼的禁带宽度变窄 光吸收特性增强 研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础 关键词 第一性原理 单层二硫化钼 电子结构 光电性质 　 　 　 　 　 中图分类号： 文献标识码： ： ／ ０．１１８９６ ．ｉｓｓｎ．１００５ ２３Ｘ．２０１５．１８．０３３ Ｏ４７１．５ Ａ ＤＯＩ １ －０ 　 　 　 　 ｊ Ｅ ａ ｄ ｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃＰｒｏ ｅｒｔｉｅｓｏｆＯ