氩气压强对溅射法制备犌犪掺杂犣状犗薄膜性能的影响-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ ６ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．６ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ １２ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ｄｅｃ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０６０８３６０４ 氩气压强对溅射法制备 掺杂 薄膜性能的影响 犌犪 犣狀犗 ，， ， ， ，， ，， １２３ １３ １２ １２３ １２３ １ 马仙梅 ，荆 海 ，王永刚 ，王龙彦 ，王中健 ，马 凯 　 　 （ 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 ， ： ； １． １３００３３Ｅｍａｉｌｍａｘｉａｎｍｅｉ５０９ １２６．ｃｏｍ 　 ＠ 中国科学院 研究生院，北京 ； 北方液晶工程研究开发中心，吉林 长春 ） ２． １０００３９ ３． １３００３１ 　 　 　 摘 要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的 掺杂 透明导电薄膜 Ｇａ ＺｎＯ 　 （ ）。通过 射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压 ＧＺＯ Ｘ 对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的 ＧＺＯ薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄 膜，最佳择优取向为（ ）方向。随着溅射气压的增大，薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增 ００２ 大。最小方块电阻可达 ／ ，最小薄膜电阻率为 －４ · 。另外， 薄膜 １７．６Ω □ ７．３×１０ Ω ｃｍ ＧＺＯ 在可见光范围内的透过率达到了９０％以上。 关 键 词：ＧＺＯ；磁控溅射；氩气压强 　 　 中图分类号： ＋ 文献标识码： ＴＮ３０４．２ １ Ａ 　　　 对薄膜的结构、表面形貌和光电特性的影响。所 １ 引 言